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经营范围
发明名称
覆晶式之发光二极体及其制作方法
摘要
揭示一种覆晶式之发光二极体及其制作方法。利用软质透明黏接层,将一透明基材与制作在基材上的发光二极体磊晶结构贴合,并接着移除基材,以将发光二极体磊晶结构移转至透明基材上。然后,对发光二极体磊晶结构进行平台蚀刻步骤,使发光二极体磊晶结构形成第一上表面与第二上表面,而同时暴露出n型半导体层与p型半导体层。接着,依序形成一金属反射层以及一阻障层,于发光二极体磊晶结构之上,最后再将电极制作于阻障层之上。
申请公布号
TW200601586
申请公布日期
2006.01.01
申请号
TW094104049
申请日期
2005.02.05
申请人
国联光电科技股份有限公司
发明人
蔡宗良;张智松;陈泽澎
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
蔡玉玲
主权项
地址
新竹市新竹科学园区力行路10号9楼
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