发明名称 覆晶式之发光二极体及其制作方法
摘要 揭示一种覆晶式之发光二极体及其制作方法。利用软质透明黏接层,将一透明基材与制作在基材上的发光二极体磊晶结构贴合,并接着移除基材,以将发光二极体磊晶结构移转至透明基材上。然后,对发光二极体磊晶结构进行平台蚀刻步骤,使发光二极体磊晶结构形成第一上表面与第二上表面,而同时暴露出n型半导体层与p型半导体层。接着,依序形成一金属反射层以及一阻障层,于发光二极体磊晶结构之上,最后再将电极制作于阻障层之上。
申请公布号 TW200601586 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094104049 申请日期 2005.02.05
申请人 国联光电科技股份有限公司 发明人 蔡宗良;张智松;陈泽澎
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路10号9楼