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经营范围
发明名称
半导体元件及其制造方法
摘要
一种具矽基板之半导体元件,其中一活动区在两个元件隔离膜之间形成,一个闸在活动区之表面形成;该矽基板具有一横向蚀刻部分,位于活动层表面下,靠近元件隔离膜的那一面;一绝缘膜在前述矽基板之横向蚀刻部分上形成,一导电电极在前述绝缘膜上形成,藉此一外部电压实施,用以调整截止电压;前述元件隔离膜在导电电极上形成,元件隔离膜和导电电极之间有一些(或没有)空腔。
申请公布号
TW200601563
申请公布日期
2006.01.01
申请号
TW093137747
申请日期
2004.12.07
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
金一旭;赵俊熙;朴圣彦;安进弘;李相敦
分类号
H01L29/68
主分类号
H01L29/68
代理机构
代理人
郑再钦
主权项
地址
韩国
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