发明名称 在半导体装置之多闸极电晶体上形成闸极电极的方法
摘要 一种在半导体装置之多闸极电晶体上形成闸极电极的方法。该方法首先提供基底,其包含设于绝缘层上之半导体鳍片,及该半导体鳍片上形成之闸极介电质。并于该闸极介电质及该半导体鳍片上形成闸极材质,其形成之上表面不平坦。再将掺杂物植入该闸极材质中,并执行退火制程以活化该闸极材质之掺杂物。继之,执行平坦化制程使得该上表面平坦化。
申请公布号 TW200601593 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094111986 申请日期 2005.04.15
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨育佳;陈豪育;杨富量;胡正明
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号