氮化铟镓发光二极体之高反射率P接触HIGH REFLECTIVITY P-CONTACT FOR INGAN LEDS

摘要

本发明揭示了一种具有一高反射率及低电阻p型接触(30)的覆晶发光二极体(10)。在一基板(20)上安置包括一顶部接触层(28)的半导体层(22)。该p接触(30)包括多层，该等多层包括一安置于与该顶部接触层(28)相邻之处的铝层(32)及一包括安置于该铝层(32)上之至少一层的黏合堆叠(34)。在沉积该p接触(30)之前用HCl清洗该接触层(28)。结果，与p型半导体层之p接触的欧姆电阻最小。