发明名称 高亮度发光二极体装置及其制造方法
摘要 一种发光二极体装置包含一多层结构,该多层结构包含一或多个发光层,以在电流驱动后发出光线;一透明保护层位于该多层结构之一外表面;一光反射层位于该透明保护层上;及多数电接触垫连接至该多层结构。制作该发光二极体装置之步骤中,系将该光反射层与该透明保护层图案化,以形成可将多层结构之一区域露出之至少一开口;及形成一电接触垫,以经由通过该该光反射层与该透明保护层之该开口而连结至该多层结构。
申请公布号 TW200601595 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW094118261 申请日期 2005.06.02
申请人 泰谷光电科技股份有限公司 发明人 刘育全;李家铭;陈怡伶;綦振瀛
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 黄台芬
主权项
地址 南投县南投市自强三路18号