正极构造及氮化镓系化合物半导体发光元件

摘要

本发明之正极结构，系含In之氮化镓系化合物半导体发光元件之透明正极者，且以由选自白金族之至少一种金属之薄膜所构成之接触金属层，与由用以构成接触金属层之金属以外之金属或合金之薄膜所构成之电流扩散层之两层，以及接合垫层所构成。