形成半导体元件之电容器的方法(第二案) METHOD OF FORMING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明揭示一种形成半导体元件之电容器的方法，可获得想要之漏电流特性及充电电容。本发明方法包括下列步骤：在具有一储存接触节点之半导体基板上形成一下电极，该下电极与储存接触节点相互连接；对所述之下电极进行电浆氮化处理，用以在下电极之表面形成第一氮化膜；在包含第一氮化膜之下电极上形成三氧化二镧介电膜；对所述之二氧化二镧介电膜进行电浆氮化处理，以在三氧化二镧介电膜之表面形成第二氮化膜；以及，在包含第二氮化膜之三氧化二镧介电膜上形成一上电极。