发明名称 共用去耦合电容
摘要 将至少一个共用电容器之去耦合电容分配在复数个电压源中,以藉最小之半导体器件面积达成性能之增强。该等电压源之高节点及低节点各包含至少两个相异节点,用于降低该等电压源之杂讯。特别有利地,本发明系应用于依据该半导体器件之位元组织,将一可变数量之共用电容器耦合至一资料电荷电压源。
申请公布号 TW200601332 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW093130810 申请日期 2004.10.12
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔炯赞;金致旭;郑秉勋
分类号 G11C11/401 主分类号 G11C11/401
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国