发明名称 利用原子层沉积填充元件间裂口之方法
摘要 一种填充一对形成于基材之上之元件间之裂口的方法。利用了原子层沉积法在一对元件间的沟渠或裂口中加入垫塞物,以部分地填充沟渠或缺口。最后沟渠或裂口会为总体填充程序所填充。
申请公布号 TW200601464 申请公布日期 2006.01.01
申请号 TW093134166 申请日期 2004.11.09
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 周友华;刘中伟;许光源;林志隆;蔡正原
分类号 H01L21/4757 主分类号 H01L21/4757
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号