| 摘要 |
一种埋设式位元线读取／程式规划之非依电性记忆体晶胞及阵列其可达成高密度。该晶胞及阵列系制作于半导体基材，该基材有多道彼此隔开之沟槽，且有平坦面介于沟槽间。各个沟槽有一侧壁及一底壁。各个记忆体晶胞有一浮动闸供储存电荷于其上。该晶胞有彼此隔开之源极／汲极区且有一通道介于其间，该通道具有二部分。源极／汲极区之一系于该沟槽之底壁。浮动闸系于该沟槽，且系于该通道之一第一部分上方，而浮动闸系与沟槽之侧壁隔开。一闸极电极控制于第二部分之通道之传导，该闸极电极系于该基材之平坦面。另一源极／汲极区系于基材于基材之平坦面。一可独立控制式控制闸也系于该沟槽，该控制闸系与浮动闸绝缘，且系电容耦合至该浮动闸。晶胞系藉热通道电子注入而程式规划，以及藉富勒–诺德翰(Fowler–Nordheim)穿隧效应，电子由浮动闸穿隧至闸极电极，或电子由浮动闸穿隧至于沟槽底壁之源极／汲极区而被抹除。源极、汲极及控制闸全部皆彼此平行，而闸极电极实质上系垂直于源极／汲极／控制闸。源极／汲极线系埋设于基材，形成一虚拟接地阵列。 |
