半导体记忆装置及其驱动方法

摘要

本发明揭示一种具有减少写入恢复时间且增加更新周期之半导体记忆装置。此半导体记忆装置包含多数个记亿胞在其中，包括：一位元线感测放大器(BLSA)阵列提供多数个位元线感测放大器用以感测与放大记忆胞的资料；以及一BLSA驱动控制装置，用以过驱动一连接至该位元线感测放大器之位元线，以回应一主动指令，以及用以过驱动该位元线以回应一预充电指令。