具多晶方向之CMOS逻辑闸及其形成方法CMOS LOGIC GATE FABRICATED ON HYBRID CRYSTAL ORIENTATIONS AND METHOD OF FORMING THEREOF

摘要

本发明系一种使用SOI与混合基材方向形成CMOS元件之方法。依照本发明之一较佳实施例，基材可具有多种结晶方向。基材中之逻辑闸可包括位于一结晶方向上之至少一N-FET及位于另一结晶方向上之至少一P-FET。基材中之另一逻辑闸可包括位于相同结晶方向上之至少一N-FET及至少一P-FET。而在本发明之其他较佳实施例中，则更包括确定基材之较佳分裂平面，以及定位相对于彼此之基材，以考量其之个别较佳分裂平面。其中，分裂平面较佳的系不平行。