金氧半导体电晶体及其制造方法

摘要

一种金氧半导体(MOS)电晶体的制造方法，此方法系首先在一基底上形成一闸介电层，在闸介电层上形成一第一阻障层，在第一阻障层上形成一层间层(interlayer)，在层间层上形成一功函数控制层，在功函数控制层上形成一第二阻障层，在第二阻障层上形成一多晶矽层。之后图案化多晶矽层、第二阻障层、功函数控制层、层间层以及第一阻障层，以形成一闸极。然后再于闸极之两侧的基底中形成源极／汲极。本发明于形成功函数控制层之前，先在第一阻障层形成层间层，其可以调整功函数控制层之功函数值，且还能湿润第一阻障层，以促进功函数控制层与第一阻障层之间的黏着性。