| 主权项 |
1.一种半导体晶圆用研磨垫,其特征为: 具备:备有贯通正背的贯通孔的研磨垫用基体、和 嵌合于该贯通孔内的透光性构件,该透光性构件系 含有:非水溶性矩阵材料、和分散于该非水溶性矩 阵材料中的水溶性粒子,该水溶性粒子的含有量系 该非水溶性矩阵材料和该水溶性粒子的合计为100 体积%的情况,0.1体积%以上且不满5体积%。 2.如申请专利范围第1项所记载的半导体晶圆用研 磨垫,其中,上记非水溶性矩阵材料的至少一部分 为交联聚合物。 3.如申请专利范围第2项所记载的半导体晶圆用研 磨垫,其中,上记交联聚合物为交联的1,2-聚丁二烯 。 4.如申请专利范围第1项所记载的半导体晶圆用研 磨垫,其中,上记透光性构件为薄壁化。 5.如申请专利范围第1项所记载的半导体晶圆用研 磨垫,其中,上记透光性材料系厚度为2mm的情况下, 波长400至800nm之间的任一波长的穿透率为0.1%以上, 或波长400至800nm之间的任一波长区域的积算穿透 率为0.1%以上。 6.一种半导体晶圆用研磨垫,其特征为: 具备:备有贯通正背的贯通孔的研磨垫用基体、和 嵌合于该贯通孔内的透光性构件、和在该研磨垫 用基体及该透光性构件中的至少该研磨垫用基体 的背面侧,形成欲固定在研磨装置的固定用层;该 透光性构件系含有:非水溶性矩阵材料、和分散于 该非水溶性矩阵材料中的水溶性粒子,该水溶性粒 子的含有量系该非水溶性矩阵材料和该水溶性粒 子的合计为100体积%的情况,为0.1体积%至90体积%。 7.一种半导体晶圆用研磨复层体,其特征为: 具备:申请专利范围第1项或第6项所记载的半导体 晶圆用研磨垫、和积层在该半导体晶圆用研磨垫 之背面侧的支撑层,于积层方向具有透光性。 8.一种半导体晶圆用研磨复层体,其特征为: 具备:备有贯通正背的贯通孔的研磨垫用基体、和 嵌合于该贯通孔内的透光性构件、和积层在该研 磨垫用基体及该透光性构件中的至少该研磨垫用 基体的背面侧的支撑层、和在该支撑层的背面侧, 形成欲固定在研磨装置的固定用层;该透光性构件 系含有:非水溶性矩阵材料、和分散于该非水溶性 矩阵材料中的水溶性粒子,该水溶性粒子的含有量 系该非水溶性矩阵材料和该水溶性粒子的合计为 100体积%的情况,为0.1体积%至90体积%。 9.一种半导体晶圆用的研磨方法,属于使用申请专 利范围第1项或第6项所记载的半导体晶圆用研磨 垫,来研磨半导体晶圆的方法,其特征为: 使用光学式终点检查装置来施行半导体晶圆的研 磨终点的检查。 10.一种半导体晶圆用的研磨方法,属于使用申请专 利范围第7项或第8项所记载的半导体晶圆用研磨 复层体,来研磨半导体晶圆的方法,其特征为: 使用光学式终点检查装置来施行半导体晶圆的研 磨终点的检查。 图式简单说明: 第1图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第2图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第3图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第4图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第5图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第6图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第7图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第8图系表示研磨垫用基体及透光性构件之形状及 各个嵌插状态之例的模式图。 第9图系本发明之研磨垫之一例的平面图。 第10图系本发明之研磨垫之其它例的平面图。 第11图系本发明之研磨垫之一例的平面图。 第12图系具备固定用层的研磨垫之一例的模式图 。 第13图系具备固定用层的研磨垫之其它例的模式 图。 第14图系解说本发明之研磨垫或研磨复层体之研 磨装置的模式图。 |
