| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,包括:主动层、位于主动层 下侧的下覆盖层、位于主动层上侧的第1上覆盖层 、位于第1上覆盖层上侧的蚀刻终止层、及位于蚀 刻终止层上侧而具有条纹状凸部的第2上覆盖层, 在上述凸部下方形成条纹状光导波路; 其特征在于: 蚀刻终止层系单层,并由与上述各覆盖层材料不同 的材料所形成,且具有与上述各覆盖层折射率大致 相等的折射率。 2.如申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中, 主动层系含GaInP,上述各覆盖层系分别含有A1GaInP, 而蚀刻终止层系含有任意A1组成比x的A1xGa1-xAs。 3.如申请专利范围第2项之半导体雷射装置,其中, 上述A1组成比x系0.45以上。 4.一种半导体雷射装置,包括:主动层、位于主动层 下侧的下覆盖层、位于主动层上侧的第1上覆盖层 、位于第1上覆盖层上侧且具条纹状凸部的第2上 覆盖层,在上述凸部下方形成条纹状光导波路; 其特征在于: 第2上覆盖层系由与第1上覆盖层材料不同的材料 所形成,且具有与第1上覆盖层折射率大致相等的 折射率。 5.如申请专利范围第4项之半导体雷射装置,其中, 主动层系含GaInP,下覆盖层与第1上覆盖层系分别含 有AlGaInP,而第2上覆盖层系含有任意A1组成比x的A1 xGa1-xAs。 6.如申请专利范围第5项之半导体雷射装置,其中, 上述A1组成比x系0.45以上。 图式简单说明: 第1图系本发明实施形态1的半导体雷射装置之立 体示意图,其中部分为切剖图。 第2图系第1图所示半导体雷射装置的立面剖视图 。 第3图系本发明实施形态2的半导体雷射装置之立 面剖视图。 第4图系实施形态1之半导体雷射装置内的能量位 准、与能带线间隙能量分布图。 第5图系实施形态1之半导体雷射装置内的光分布 图。 第6图系具备ESL之习知半导体雷射装置内的能量位 准、与能带线间隙能量分布图。 第7图系具备ESL之习知半导体雷射装置内的光分布 图。 第8图系未具备ESL之普通半导体雷射装置内的能量 位准、与能带线间隙能量分布图。 第9图系未具备ESL之普通半导体雷射装置内的光分 布图。 第10图系实施形态1的半导体雷射装置(AlGaAs-ESL)、 具备ESL之习知半导体雷射装置(AlGaInP/GaInP)、及未 具备ESL之普通半导体雷射装置(无ESL)的光输出与 输入电流间之关系(P-I特性)图。 |
