| 主权项 |
1.一种光感测器封装结构,包括: 一承载器; 一光感测晶片,配置于该承载器上,且该光感测晶 片具有一主动表面;以及 一校正模组,配置于该承载器上,且该校正模组系 与该光感测晶片电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构, 其中该承载器包括电路板、封装基板或导线架。 3.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构, 其中该光感测晶片包括紫外光感测晶片、红外光 感测晶片或可见光感测晶片。 4.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构, 更包括多数条导线或凸块,连接于该光感测晶片与 该承载器之间。 5.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构, 更包括多数条导线,连接于该校正模组与该光感测 晶片之间。 6.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构, 其中该校正模组包括: 一校正处理器,与该光感测晶片电性连接;以及 一记忆体,与该校正处理器电性连接,其中该光感 测晶片适于感测一校正光源所发出之一校正光线, 以输出一对应之校正讯号至该校正处理器,而该校 正处理器系将该校正光线之强度与该校正讯号记 录于该记忆体中。 7.如申请专利范围第6项所述之光感测器封装结构, 更包括一判断处理器,与该光感测晶片以及该记忆 体电性连接,其中该光感测晶片适于感测一待测光 源所发出之一待测光线,以输出一对应之待测讯号 至该判断处理器,而该判断处理器系比对该待测讯 号与该校正讯号,并输出一代表该待测光线之强度 之参数。 8.如申请专利范围第7项所述之光感测器封装结构, 更包括多数条导线或凸块,连接于该判断处理器与 该承载器之间。 9.如申请专利范围第7项所述之光感测器封装结构, 其中该判断处理器与该校正模组系整合于同一晶 片中。 10.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,其中该校正模组为一互补式金属氧化半导体晶片 (CMOS chip)或一双载子接面电晶体晶片(Bipolar Junction Transistor)。 11.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,更包括多数条导线或凸块,连接于该校正模组与 该承载器之间。 12.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,更包括一封装材料,配置于该承载器上,且包覆该 光感测晶片以及该校正模组,并将该光感测晶片之 该主动表面暴露。 13.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,其中该光感测晶片系堆叠于该校正模组上。 14.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,更包括一影像输出模组,配置于该承载器上。 15.如申请专利范围第14项所述之光感测器封装结 构,其中该影像输出模组包括: 一讯号处理器(data processor);以及 一驱动晶片(driver IC)。 16.如申请专利范围第15项所述之光感测器封装结 构,其中该驱动晶片包括液晶显示器驱动晶片。 17.如申请专利范围第15项所述之光感测器封装结 构,其中该驱动晶片包括发光二极体驱动晶片。 18.如申请专利范围第16项所述之光感测器封装结 构,更包括多数个导线或凸块,连接于该影像输出 模组与该承载器之间。 19.如申请专利范围第14项所述之光感测器封装结 构,其中该影像输出模组与该校正模组系整合于同 一晶片中。 20.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,更包括: 一影像输出模组,配置于该承载器上;以及 一判断处理器,配置于该承载器上。 21.如申请专利范围第20项所述之光感测器封装结 构,其中该影像输出模组与该判断处理器系整合于 同一晶片中。 22.如申请专利范围第1项所述之光感测器封装结构 ,更包括多数个外部端子,与该光感测晶片以及该 校正模组电性连接。 图式简单说明: 图1绘示为一种习知光感测器封装结构的示意图。 图2绘示本发明之第一实施例的光感测器封装结构 的上方透视图。 图3A绘示本发明之第一实施例的光感测器封装结 构。 图3B绘示本发明之第一实施例的光感测器封装结 构的剖视图。 图4绘示图3之光感测器的电路图。 图5绘示为光感测器封装结构移至待测光源下的示 意图。 图6A绘示本发明之第三实施例的光感测器封装结 构。 图6B绘示本发明之第四实施例的光感测器封装结 构。 |
