| 主权项 |
1.一种图样化陶瓷层于半导体基板上之方法, 一陶瓷层被沉积于一半导体基板上, 该被沉积之陶瓷层系以一增加密度步骤而被增加 密度, 缺陷被产生于至少该被增加密度之陶瓷层之区段 中,及 该陶瓷层系藉由一蚀刻媒介来处理,该陶瓷层系被 从之被提供有该缺陷之该基板之该区段中移除。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该缺陷系藉由 引进一植入物至该被增加密度之陶瓷层而被产生 。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该植入物系藉 由离子植入而被引进该被增加密度之陶瓷层中。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中该植入物系藉 由一电浆而被引进该被增加密度之陶瓷层中。 5.如申请专利范围第2至4项中任一项之方法,其中 该植入物系以对该半导体基板表面法线夹一角度 的行进方式而被引进该被增加密度之陶瓷层中。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该角度系被挑 选自89度至30度之范围。 7.如申请专利范围第5项之方法,其可获得具有一不 均匀型态之该基板及因该植入物对该基板表面来 一角度之入射而被遮蔽之区域,其中无缺陷之区域 系被产生于该陶瓷层中。 8.如申请专利范围第1项之方法,该陶瓷层系于增加 密度期间被转换为单晶体或多晶体型式。 9.如申请专利范围第1项之方法,该陶瓷层之增加密 度步骤系藉由热处理步骤来实施。 10.如申请专利范围第1项之方法,该陶瓷层中被提 供以该缺陷之该些区段系藉由湿化学方法被移除 。 11.如申请专利范围第1项之方法,具有侧壁之沟渠 系被引进该半导体基板,该陶瓷层系至少被沉积于 该侧壁上且随后被增加密度,而该植入物种系以相 对于法线之一倾斜而被施加于该基板表面,使该缺 陷仅被产生于被沉积于该沟渠侧壁上之该陶瓷层 中之该沟渠区段中。 12.如申请专利范围第1项之方法,该陶瓷层系由高 介电常数之物质组成。 13.如申请专利范围第12项之方法,该高介电常数之 物质系选自如氧化铝、氧化钽、二氧化铪、氧化 锆、二氧化钛之镧系元素氧化物及混合氧化物。 14.如申请专利范围第1项之方法,该植入物系包含 可使该陶瓷层之产生化学变化之重元素。 15.如申请专利范围第1项之方法,其于该陶瓷层下 更安置一更深层,该更深层系由另一物质制成。 图式简单说明: 第一图显示产生深沟渠电容器的工作步骤系梁在 沉积陶瓷层之后被产生当作电介质。 第二图显示产生深沟渠电容器的工作步骤当作电 介质之陶瓷层系被沉积于系梁建构之后。 第三图显示使用一衬垫来建构一侧被埋入垫片的 工作步骤电容器系依据被描述于第一图之方法步 骤来建构。 第四图显示产生一侧被埋入垫片的方法步骤电容 器系依据被描述于第二图之方法步骤来建构。 第五图显示产生深沟渠电容器之各种工作步骤的 平面图。 |
