| 主权项 |
1.一种在晶圆上监控重叠对准之方法,包括: 辨识一目标机器; 辨识一目标程序; 辨识复数个关键层; 从一晶圆上至少一指定定位图案中,获得复数个重 叠资料当成一基准资料; 提供复数个参考重叠资料; 将该些参考重叠资料与该基准资料建立关联,以获 得一重叠误差; 将该重叠误差与该目标机器的复数个规格互相比 较; 当该重叠误差在该些规格容许范围内时,接受该基 准资料;以及 以该基准资料执行监控重叠对准。 2.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,该方法更包括: 当该重叠误差超过该些规格容许范围时,拒绝使用 该基准资料; 重覆执行从该晶圆上至少一指定定位图案中,获得 该些重叠资料的该步骤,以获得一组不同的基准资 料; 将该组不同的基准资料与该参考重叠资料建立关 联,以获得一不同的重叠误差;以及 将该不同的重叠误差与该目标机器的该些规格互 相比较。 3.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中该目标机器是从复数个机器中挑 选出来的一具有最佳良率的机器。 4.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中该目标程序是从复数个具有最小 关键尺寸的程序中挑选出来。 5.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中该些关键层包括浅沟渠隔离结构 所成形的复数层。 6.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中该些关键层包括场氧化层隔离结 构所成形的复数层。 7.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中该些关键层包括金属和内连线所 成形的复数层。 8.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中该些关键层包括一多晶矽层。 9.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中获得该些重叠资料的该步骤包括 : 提供一第一层光阻,放置在该些关键层的一第一层 上; 在该第一层光阻上执行一第一微影处理; 在该些关键层的一第二层上执行一第二微影处理; 以及 获得该些重叠资料。 10.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,更加包括从当成该基准资料的所有指 定定位图案中,获得该些重叠资料。 11.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中至少有五个指定定位图案。 12.如申请专利范围第10项所述之在晶圆上监控重 叠对准之方法,其中一指定定位图案放置在该晶圆 的一中心位置,而其他指定定位图案则放置在该晶 圆的四角落,互相保持相等距离的位置。 13.如申请专利范围第1项所述之在晶圆上监控重叠 对准之方法,其中提供该些参考图重叠资料包括: 提供一包括第一层已蚀刻定位图案的一控制晶圆; 执行一第二微影程序; 获得该第一微影程序和该第二微影程序之间的该 参考重叠资料;以及 重覆执行获得该控制晶圆所提供的所有定位图案 的该参考重叠资料的该步骤。 14.一种在晶圆上监控重叠对准之方法,包括: 辨识一目标机器; 辨识一目标程序; 辨识复数个关键层; 从该晶圆上复数个指定定位图案中,获得复数个重 叠资料当成一基准资料; 将复数个参考重叠资料与该基准资料建立关联,以 获得一重叠误差; 当该重叠误差在该目标机器的该些规格容许范围 内时,接受该基准资料;以及 以该基准资料执行监控重叠对准。 15.如申请专利范围第14项所述之在晶圆上监控重 叠对准之方法,更加包括: 当该重叠误差超过该些规格容许范围时,拒绝使用 该基准资料;以及 重覆执行从该晶圆上该些指定定位图案中,获得该 些重叠资料的该步骤,以获得一组不同的基准资料 ,直到获得落在该目标机器的该些规格容许范围之 内的一不同的重叠资料为止。 16.如申请专利范围第14项所述之在晶圆上监控重 叠对准之方法,其中该目标机器是从复数个机器中 挑选出来的一具有最佳良率的机器。 17.如申请专利范围第14项所述之在晶圆上监控重 叠对准之方法,其中该目标程序是从复数个具有最 小关键尺寸的程序中挑选出来。 18.如申请专利范围第14项所述之在晶圆上监控重 叠对准之方法,其中一指定定位图案放置在该晶圆 的一中心位置,而其他四个指定定位图案则放置在 该晶圆的四角落,与该中心保持相等距离的位置。 图式简单说明: 第1图为绘示本发明方法之实施例的流程图。 |
