| 发明名称 | 增加聚合物颗粒分子量之方法 | ||
| 摘要 | 来自聚缩合工厂的聚合物颗粒为至少部分结晶的，并且在后缩合反应中被带到直接与含氮处理气体接触。与来自聚缩合工厂之颗粒的温度比较，在后缩合反应中，聚合物颗粒的温度被增加到175至250℃。在其被导入后缩合反应之前，来自聚缩合工厂的含氮排放气体与处理气体混合的体积比率为1：1至1：1000。 | ||
| 申请公布号 | TWI246522 | 申请公布日期 | 2006.01.01 |
| 申请号 | TW090121601 | 申请日期 | 2001.08.31 |
| 申请人 | 新美公司 | 发明人 | 克劳斯 克斯登 |
| 分类号 | C08G63/88 | 主分类号 | C08G63/88 |
| 代理机构 | 代理人 | 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 | |
| 主权项 | 1.一种增加聚合物颗粒分子量之方法,该颗粒是来 自聚缩合工厂,为至少部分结晶的,并且在后缩合 反应中被带到与含氮处理气体直接接触,其中与来 自聚缩合工厂的颗粒温度比较,在缩合反应中之聚 合物颗粒的温度被增加到175至250℃,其特征在于其 被导入后缩合反应之前,来自聚缩合工厂的含氮排 放气体与处理气体混合的体积比率为1:1至1:1000。 2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于来自聚 缩合工厂的含氮排放气体包含烃,并且在其被导入 后缩合反应之前,与处理气体一起通过清洁阶段来 氧化移除烃。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于添 加N2含量80至99体积%之富含氮气的新鲜气体到处理 气体中。 4.如申请专利范围第1或2项的方法,其特征在于用 来氧化移除烃的清洁阶段包括氧化触媒。 5.如申请专利范围第1或2项的方法,其特征在于产 生来自聚缩合工厂的含氮排放气体、来自后缩合 反应的处理气体、及来自由结晶移除之气体的气 体混合物,其至少一部份被用做处理气体。 图式简单说明: 图一显示本发明方法之流程图 | ||
| 地址 | 德国 | ||