| 主权项 |
1.一种高效率矩阵发光二极体元件,主要系在一磊 晶晶片基材上以积体电路制作方式制作出复数独 立绝缘之发光二极体,并于每一发光二极体上蒸镀 有连接导线,该连接导线以并联或串联方式连接各 个发光二体,形成一有效精简制程与节省成本之矩 阵发光二极体单体者。 2.如申请专利范围第1项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中,该矩阵发光二极体单体并配设一 基板者。 3.如申请专利范围第1或2项所述之高效率矩阵发光 二极体元件,其中,该矩阵发光二极体单体系藉金 属凸块为接点,利用超音波接合方式,反转安装在 基板上者。 4.如申请专利范围第1项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中,该发光二极体之绝缘层系可为SiOx 、SiNx、Al2O3或ATiN其中任一种或组合。 5.如申请专利范围第1项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中,该连接导线系以金属镀层方式蒸 镀而成,且该连接导线可为Au、Al、Ti、Pt、Cr、Ni、 W或Cu其中任一种或组合。 6.如申请专利范围第1项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中该复数发光二极体的P型电极与N型 电极系为高热传导系数且低电阻之金属,可为Au、 Al、Ti、Pt、Cr、Ni、Ag或Cu其中任一种或组合。 7.如申请专利范围第2项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中该基板系为Silicon、AlN、BeO其中任 一种材质,该基板内系设有具保护发光二极体、避 免发光二极体受静电破坏,并可使用交流电源之双 向二极体,且该基板的顶、底部并设有导热金属者 。 8.如申请专利范围第1项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中,该复数发光二极体为具有P型及N型 的Ⅲ-Ⅴ之半导体化合物者。 9.如申请专利范围第7项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中该基板的导热金属系为高热传导系 数金属,可为Au、Al、Ti、Pt、Cr、Ni、W、Ag或Cu其中 任一种或组合。 10.如申请专利范围第7项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中该基板内之双向二极体系以离子植 入方式或离子扩散方式形成者。 11.如申请专利范围第1项所述之高效率矩阵发光二 极体元件,其中该磊晶晶片基材系为透明者。 图式简单说明: 第1图系为本创作矩阵发光二极体单体之立体外观 图。 第2图系为本创作矩阵发光二极体单体之剖面示意 图。 第3图系为本创作基板之剖面示意图。 第4图系为第3图之俯视图。 第5图系为矩阵发光二极体单体结合于基板之剖面 示意图。 第6图系为本创作使用直流电源之等效电路图。 第7图系为本创作使用交流电源之等效电路图。 |
