| 主权项 |
1.一种散热型封装结构制法,系包括: 将至少一半导体晶片接置并电性连接于一晶片承 载件上; 将一散热件接置于该晶片上,该散热件系由一绝缘 芯层及接置于该绝缘芯层上、下表面之金属薄层 所构成,且于该绝缘芯层中形成有至少一导热通孔 ; 进行封装模压制程,以使封装胶体完整包覆住位于 该晶片承载件上之半导体晶片及该散热件;以及 沿封装元件周围进行切割制程,并移除该散热件之 金属薄层上之封装胶体,藉以外露出该散热件之金 属薄层。 2.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该晶片承载件系为基板及导线架型式之其中一 者,且其型态系采用矩阵式排列、条状排列及单颗 型态之其中一者,以供晶片以焊线及覆晶之其中一 方式电性连接至该晶片承载件。 3.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该晶片承载件得设置有复数导电元件,藉以供 该晶片藉之与外界装置形成电性连接关系。 4.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,于该半导体片接置并电性连接至该晶片承载件 后,复可先在该晶片上接置一缓冲垫片,再于该缓 冲垫片上接置该散热件。 5.如申请专利范围第4项之散热型封装结构制法,其 中,该缓冲垫片之材质系为废弃晶片(Dummy die)及金 属之其中一者。 6.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该绝缘芯层之材质系为BT(Bismaleimide Trazine)树脂 及FR4树脂之其中一者,该金属薄层系为铜箔,该导 热通孔系为镀铜孔。 7.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该绝缘芯层上表面之金属薄层上系覆盖有一材 质为镍、铬、金及其合之其中一者的介面层,以便 于移除形成于该金属薄层上之封装胶体。 8.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该绝缘芯层下表面之金属薄层系进行黑化及棕 化处理之其中一者,藉以提供该绝缘芯层下表面之 金属薄层与封装胶体间良好接合作用。 9.如申请专利范围第1项之散热型封装结构制法,其 中,该散热件于对应接置晶片位置处形成有外露出 散热件上表面之金属薄层的开口,俾得使该晶片收 纳于开口中,且接触至该散热件上表面之金属薄层 。 10.一种散热型封装结构制法,系包括: 准备一矩阵式晶片承载件模组片,该晶片承载件模 组片乃由多数呈阵列方式排列之晶片承载件所构 成者; 接置至少一晶片于各该晶片承载件之预设位置处, 并使该晶片电性连接至该晶片承载件; 将一散热件接置于该晶片上,该散热件系由一绝缘 芯层及接置于该绝缘芯层上、下表面之金属薄层 所构成,且于该绝缘芯层中形成有至少一导热通孔 ; 进行封装模压制程,以使封装胶体完整包覆住位于 该晶片承载件上之半导体晶片及该散热件; 进行切单作业,藉以形成个别半导体封装件之半成 品;以及 移除该散热件之金属薄层上之封装胶体,藉以外露 出该散热件之金属薄层。 11.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,该晶片承载件系为基板及导线架型式之其中 一者,以供晶片以焊线及覆晶之其中一方式电性连 接至该晶片承载件。 12.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,该晶片承载件得设置有复数导电元件,藉以 供该晶片藉之与外界装置形成电性连接关系。 13.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,于该半导体片接置并电性连接至该晶片承载 件后,复可先在该晶片上接置一缓冲垫片,再于该 缓冲垫片上接置该散热件。 14.如申请专利范围第13项之散热型封装结构制法, 其中,该缓冲垫片之材质系为废弃晶片(Dummy die)及 金属之其中一者。 15.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,该绝缘芯层之材质系为BT(Bisnlaleimide Trazine) 树脂及FR4树脂之其中一者,该金属薄层系为铜箔, 该导热通孔系为镀铜孔。 16.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,该绝缘芯层上表面之金属薄层上系覆盖有一 材质为镍、铬、金及其合之其中一者的介面层,以 便于移除形成于该金属薄层上之封装胶体。 17.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,该绝缘芯层下表面之金属薄层系进行黑化及 棕化处理之其中一者,藉以提供该绝缘芯层下表面 之金属薄层与封装胶体间良好接合作用。 18.如申请专利范围第10项之散热型封装结构制法, 其中,该散热件于对应接置晶片位置处形成有外露 出散热件上表面之金属薄层的开口,俾得使该晶片 收纳于开口中,且接触至该散热件上表面之金属薄 层。 19.一种散热型封装结构,系包括: 晶片承载件; 半导体晶片,系接置并电性连接至该晶片承载件上 ; 散热件,系接置于该半导体晶片上,该散热件系由 一绝缘芯层及包覆于该绝缘芯层上、下表面之金 属薄层所构成,且于该绝缘芯层中形成有至少一导 热通孔;以及 封装胶体,系形成于该散热件与晶片承载件之间, 用以包覆该半导体晶片。 20.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,其中, 该晶片承载件系为基板及导线架型式之其中一者, 且该晶片系以焊线及覆晶之其中一方式电性连接 至该晶片承载件。 21.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,其中, 该晶片承载件得设置有复数导电元件,藉以供该晶 片藉之与外界装置形成电性连接关系。 22.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,复包 含一设置于该半导体晶片与该散热件间之缓冲垫 片。 23.如申请专利范围第22项之散热型封装结构,其中, 该缓冲垫片之材质系为废弃晶片(Dummy die)及金属 之其中一者。 24.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,其中, 该绝缘芯层之材质系为BT(Bismaleimide Trazine)树脂及 FR4树脂之其中一者,该金属薄层系为铜箔,该导热 通孔系为镀铜孔。 25.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,其中, 该绝缘芯层上表面之金属薄层上系覆盖有一材质 为镍、铬、金及其合之其中一者的介面层。 26.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,其中, 该绝缘芯层下表面之金属薄层系经黑化及棕化处 理之其中一者。 27.如申请专利范围第19项之散热型封装结构,其中, 该散热件于对应接置晶片位置处形成有外露出散 热件上表面之金属薄层的开口,俾得使该晶片收纳 于开口中,且接触至该散热件上表面之金属薄层。 图式简单说明: 第1图系为美国专利第5,726,079号案所揭露之半导体 封装件剖面示意图; 第2A至2C图系为美国专利第6,458,626号案所揭露之半 导体封装件剖面示意图; 第3图系为美国专利第6,444,498号案所揭露之半导体 封装件剖面示意图; 第4A至4F图系为本发明之散热型封装结构制法第一 实施例之剖面示意图; 第5A至5F图系为本发明之散热型封装结构制法第二 实施例之剖面示意图; 第6图系为本发明之散热型封装结构第三实施例之 剖面示意图; 第7图系为本发明之散热型封装结构第四实施例之 剖面示意图; 第8图系为本发明之散热型封装结构第五实施例之 剖面示意图; 第9图系为本发明之散热型封装结构第六实施例之 剖面示意图;以及 第10图系为本发明之散热型封装结构第七实施例 之剖面示意图。 |
