| 主权项 |
1.一种使用一表面处理设备以用于一基底之表面 处理方法,此基底具有一待执行表面处理之表面及 相反于此一表面之另一表面,且此表面处理设备具 有至少一密闭空间及一围绕密闭空间之接触部,适 以紧密地接触与基底之另一表面,以配合密闭空间 及基底之另一表面而产生负压力,而使得其基底系 藉由负压力而被吸引至表面处理设备上以维持此 一状态至少于表面处理期间,该方法包含: 一第一步骤,其中于基底之另一表面面对着表面处 理设备之状态下,表面处理设备及置于其上之基底 被传输至减压室之内部以使密闭空间减压,藉此产 生负压力于密闭空间中; 一第二步骤,其中于基底系利用一介于密闭空间内 部的负压力与大气压力之间的差异而被吸引至表 面处理设备的状态下,表面处理设备及基底系从减 压室内部被带出至大气压力下之环境;及 一第三步骤,其中系对基底之一表面执行表面处理 于其基底被表面处理设备所吸引的情况下。 2.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中第一 步骤中的减压室内之压力为70,000Pa或更小。 3.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中第三 步骤中之表面处理被执行于大气压力或更高的压 力之下。 4.如申请专利范围第1项之表面处理方法,进一步包 含: 一于第三步骤后之第四步骤,其中具有基底之表面 处理设备被再次传输至减压室内部,其中基底系藉 由使减压室之内部减压而被释放自表面处理设备 以致其减压室内之压力变为实质上等于或低于减 压室内之压力于第一步骤中。 5.如申请专利范围第4项之表面处理方法,其中当第 一步骤中之减压室内的压力被界定为A(Pa)而第四 步骤中之减压室内的压力被界定为B(Pa)时,满足其B /A为1或更小之关系。 6.如申请专利范围第4项之表面处理方法,其中第四 步骤中之减压室内的压力为70,000Pa或更小。 7.如申请专利范围第4项之表面处理方法,其中表面 处理设备进一步包含分离协助机构,其协助基底分 离自减压室中之表面处理设备的接触部。 8.如申请专利范围第7项之表面处理方法,其中分离 协助机构包含一具有一末端部之接触构件,其适以 接触基底之另一表面,当基底被分离自表面处理设 备之接触部时、及位移机构,用以位移接触构件于 一其中接触构件被分离自接触部之方向。 9.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中接触 构件具有相反于其一末端部之另一末端部,且接触 构件可被枢轴地旋转以其另一末端部被使用为一 枢轴中心。 10.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中位 移机构被构成自一弹簧。 11.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中位 移机构被构成自一具有中空空间之弹性构件,其中 中空空间之体积系藉由使减压室内部减压而增加 。 12.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中位 移机构被构成自一杠杆与重物。 13.如申请专利范围第8项之表面处理方法,其中位 移机构被构成自一马达。 14.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中表 面处理设备具有一容许密闭空间通连与其外部之 流动路径,以其基底接触与接触部,其中流动路径 被紧密地密封于第一、第二及第三步骤;及 其中此表面处理方法进一步包含: 一于第三步骤后之第四步骤,其中基底系藉由开启 流动路径而被释放自表面处理设备。 15.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中基 底具有一或更多各开口至其另一表面之凹部;及 其中表面处理方法进一步包含以下步骤: 在第一步骤之前,提供一薄片状材料于基底之另一 表面上以致其基底之凹部可被覆盖。 16.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中基 底具有一或更多各开口至其另一表面之凹部;及 其中接触部被构成以能够覆盖基底之凹部,以其基 底接触与接触部。 17如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中表面 处理设备具有一包括两主表面之平坦状结构,且具 有凹部于每一两主表面之侧上。 18.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其中表 面处理系使用一供处理之液体而被执行。 19.如申请专利范围第18项之表面处理方法,其中供 处理之液体包含蚀刻剂。 图式简单说明: 图1系一横断面图,其显示一第一实施例中的表面 处理设备。 图2系图1中所示之表面处理设备的平面图。 图3系一横断面图,其显示一第二实施例中的表面 处理设备。 图4系图3中所示之表面处理设备的平面图。 图5系一横断面图,其显示一第三实施例中的表面 处理设备。 图6系图5中所示之表面处理设备的平面图。 图7系一横断面图,其显示一第四实施例中的表面 处理设备。 图8A-8B系部分横断面图,其显示一第五实施例中的 表面处理设备。 图9A-9C系部分横断面图,用以解释图8A及8B中所示之 表面处理设备的使用。 图10A-10B系部分横断面图,其显示一第六实施例中 的表面处理设备。 图11系一透视图,其显示一第七实施例中的表面处 理设备之一部分(其为分离协助机构)。 图12系一透视图,其显示一第八实施例中的表面处 理设备之一部分(其为分离协助机构)。 |
