| 主权项 |
1.一种具有多层膜穿透窗被覆层之发光二极体结 构,其主要结构系包括: 一发光二极体晶片,其结构系包含有: 一基板; 一第一半导体层,其系设置于该基板之上; 一活性层,其系设置于该第一半导体层之上; 一第二半导体层,其系设置于该复数个活性层之上 ; 一透明导电层,其系设置于部分该第二半导体层之 上; 一第一电极,其系设置于该第一半导体层之上;以 及 一第二电极,其系设置于部分该第二半导体层之上 与部分该透明导电层之上; 至少一第一透明被覆层,其系包覆于该发光二极体 晶片之外侧,且其具有低折射率;以及 至少一第二透明被覆层,其系包覆于该第一透明被 覆层之外侧,且其具有高折射率。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该至少一第一透明被覆层系为低折射率之非晶 氮化矽。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该至少一第二透明被覆层系为高折射率之非晶 氧化矽。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该活性层系可发出蓝光或绿光或红光或上述之 任意组合之波长光线。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该活性层系为多重量子井(MQW)之半导体层。 6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该至少一第二透明被覆层之厚度系小于该至少 一第一透明被覆层之厚度。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该透明导电层系为氧化铟锡ITO)。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该第一半导体层系为一N型半导体层。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其 中该第二半导体层系为一P型半导体层。 10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构, 其中该活性层系可发射出单一波长之光线。 11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构, 更进一步包含一封装体,该封装体系包覆该发光二 极体晶片。 12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体结构, 其中该封装体系包含至少一萤光粉。 13.如申请专利范围第11项所述之发光二极体结构, 其中该封装体之外侧系包覆该第一透明被覆层与 该第二透明被覆层。 14.一种具有多层膜穿透窗被覆层之发光二极体结 构,其主要结构系包括: 一发光二极体晶片,其可发出复数个波长光线; 至少一第一透明被覆层,其系包覆于该发光二极体 晶片之外侧,且其具有低折射率;以及 至少一第二透明被覆层,其系包覆于该第一透明被 覆层之外侧,且其具有高折射率。 15.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该至少一第一透明被覆层系为低折射率之非 晶氮化矽。 16.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该至少一第二透明被覆层系为高折射率之非 晶氧化矽。 17.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该活性层系可发出蓝光或绿光或红光或上述 之任意组合。 18.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该活性层系为多重量子井(MQW)之半导体层。 19.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该至少一第二透明被覆层之厚度系小于该至 少一第一透明被覆层之厚度。 20.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该透明导电层系为氧化铟锡(ITO)。 21.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该第一半导体层系为一N型半导体层。 22.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构, 其中该第二半导体层系为一P型半导体层。 图式简单说明: 第一A图:其系为习知技术之发光二极体晶片之结 构示意图; 第一B图:其系为习知技术之发光二极体封装之结 构示意图; 第一C图:系为习知技术之发光二极体R、G、B光线 之穿透率之曲线图; 第二图:其系为本创作之一较佳实施例之第一透明 被覆层与第二透明被覆层与发光二极体晶片结合 之结构示意图; 第三图:其系为本创作之另一较佳实施例之第一透 明被覆层与第二透明被覆层与发光二极体晶片结 合之结构示意图; 第三A图:其系为本创作之另一较佳实施例之第一 透明被覆层与第二透明被覆层与发光二极体晶片 结合之结构示意图; 第三B图:其系为本创作之另一较佳实施例之第一 透明被覆层与第二透明被覆层与发光二极体晶片 结合之结构示意图; 第四图:其系为本创作之一较佳实施例之蓝光于第 一透明被覆层与第二透明被覆层交互沉积五层之 穿透率之曲线图; 第五图:其系为本创作之一较佳实施例之绿光于第 一透明被覆层与第二透明被覆层交互沉积五层之 穿透率之曲线图;以及 第六图:其系为本创作之一较佳实施例之红光于第 一透明被覆层与第二透明被覆层交互沉积五层之 穿透率之曲线图。 |
