| 主权项 |
1.一种制造超薄型半导体元件的方法,其包括的步 骤如下: 透过一第一多孔半导体剥离层于一晶种基板上形 成一第一单晶半导体层; 从该第一单晶半导体层端将该晶种基板焊接至一 支撑基板,其间则插入一绝缘层,该支撑基板已透 过一第二多孔半导体剥离层于其上形成一第二单 晶半导体层; 利用该第一多孔半导体剥离层作为介面来分割该 晶种基板;以及 利用该第二多孔半导体剥离层作为介面来分割该 支撑基板,用以获得形成于该绝缘层之上的该第一 单晶半导体层。 2.一种制造超薄型半导体元件的方法,其步骤如下: 形成一由一支撑基板所组成的基底,可于该支撑基 板上堆叠一第二多孔半导体剥离层、一第二单晶 半导体层、一绝缘层、以及一第一单晶半导体层, 并且于该第一单晶半导体层中形成一半导体元件 单元及欲被连接至该半导体元件单元的复数个突 出连接电极; 沿着一分割线形成一刻槽,用以从该第一单晶半导 体层端直到该基底的至少该第二多孔半导体剥离 层来将其分割成一个别的半导体元件; 形成一树脂保护膜,用以填充该刻槽的内部并且覆 盖该第一单晶半导体层的表面; 抛光该树脂保护膜的其中一表面,裸露出该表面中 之该等连接电极; 利用无残留的导电保护胶带来覆盖该树脂保护膜 表面及该等突出连接电极表面; 利用该第二多孔半导体剥离层作为介面来剥除该 支撑基板;以及 沿着被填充于该刻槽中的树脂保护膜从该第二单 晶半导体层端进行切割,用以分割个别的半导体元 件。 3.如申请专利范围第2项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在以该第二多孔半导体剥离 层作为介面来剥除该支撑基板的步骤中,可于旋转 以剥除该支撑基板时从横向方向中喷洒一流体至 该第二多孔半导体剥离层中。 4.如申请专利范围第2项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在以该第二多孔半导体剥离 层作为介面来剥除该支撑基板的步骤中,可于旋转 以剥除该支撑基板时从横向方向发射一雷射光束 至该第二多孔半导体剥离层中 5.如申请专利范围第2项之制造超薄型半导体元件 的方法,其中该形成一基底的步骤如下: 于一晶种基板中形成一第一多孔半导体剥离层; 于该第一多孔半导体剥离层上形成该第一单晶半 导体层; 于该支撑基板上形成该第二多孔半导体剥离层; 于该第二多孔半导体剥离层上形成该第二单晶半 导体层; 于该第一单晶半导体层及该第二单晶半导体层中 至少其中一者上形成该绝缘层; 从该第一单晶半导体层端及该第二单晶半导体层 端来焊接该品种基板及该支撑基板,两者间插入该 绝缘层; 利用该第一多孔半导体剥离层作为介面来剥除该 晶种基板;以及 利用氢退火处理来蚀刻该第一单晶半导体层的表 面。 6.如申请专利范围第5项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在以该第一多孔半导体剥离 层作为介面来剥除该晶种基板的步骤中,可于旋转 以剥除该晶种基板时从横向方向中喷洒一流体至 该第一多孔半导体剥离层中。 7.如申请专利范围第5项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在以该第一多孔半导体剥离 层作为介面来剥除该晶种基板的步骤中,可于旋转 以剥除该晶种基板时从横向方向中发射一雷射光 束至该第一多孔半导体剥层中。 8.如申请专利范围第5项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在形成该绝缘层的步骤中,形 成该绝缘层使其包括下面各种膜类型中至少其中 一者:氧化矽膜、氮化矽膜、由一氧化矽模及一氮 化矽膜所组成的多层膜、由一氧化矽膜、一氮化 矽膜、以及一氧化矽膜所组成的多层膜、一氮氧 化矽膜、及一氧化铝膜。 9.如申请专利范围第5项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在形成该第一多孔半导体剥 离层及该第二多孔半导体剥离层的步骤中,藉由形 成一由一单晶半导体层所组成的杂质掺杂层来形 成该层,其包括一种杂质,并且可利用阳极转换法 将其转换成一多孔半导体。 10.如申请专利范围第5项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在形成该第一多孔半导体剥 离层及该第二多孔半导体剥离层的步骤中,藉由让 该第一多孔半导体剥离层的孔隙率及厚度大于该 第二多孔半导体剥离层的孔隙率及厚度来形成该 等层,使其能够在剥除该晶种基板时以该第一多孔 半导体剥离层作为介面来进行剥除,而非以该第二 多孔半导体剥离层作为介面。 11.如申请专利范围第5项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在形成该第一多孔半导体剥 离层及该第二多孔半导体剥离层的步骤中,藉由至 少两层不同孔隙率的层来形成该层。 12.如申请专利范围第2项之制造超薄型半导体元件 的方法,进一步包括,在分割成个别的半导体元件 的步骤中,以宽度窄于该刻槽宽度的方式在该刻槽 的实质中心处进行切割,使得部份该树脂保护膜覆 盖该第一单晶半导体层、该绝缘层、以及经由切 割法被分割之该第二单晶半导体层的侧表面。 13.一种制造超薄型背光固态影像撷取元件的方法, 其步骤如下: 形成一由一支撑基板所组成的基底,可于该支撑基 板上堆叠一第二多孔半导体剥离层、一第二单晶 半导体层、一绝缘层、以及一第一单晶半导体层, 并且于该第一单晶半导体层中形成一固态影像撷 取感应器单元及欲被连接至该固态影像撷取感应 器单元的复数个突出连接电极; 沿着一分割线形成一刻槽,用以从该第一单晶半导 体层端直到该基底的至少该第二多孔半导体剥离 层来将其分割成一个别的固态影像撷取元件; 形成一树脂保护膜,用以填充该刻槽的内部并且覆 盖该第一单晶半导体层的表面; 抛光该树脂保护膜的其中一表面,裸露出该表面中 之该等连接电极; 利用无残留的导电保护胶带来覆盖该树脂保护膜 表面及该等突出连接电极表面; 利用该第二多孔半导体剥离层作为介面来剥除该 支撑基板;以及 沿着被填充于该刻槽中的树脂保护膜从该第二单 晶半导体层端进行切割,用以分割个别的固态影像 撷取元件。 14.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该第二多 孔半导体剥离层作为介面来剥除该支撑基板的步 骤中,可于旋转以剥除该支撑基板时从横向方向中 喷洒一流体至该第二多孔半导体剥离层中。 15.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该第二多 孔半导体剥离层作为介面来剥除该支撑基板的步 骤中,可于旋转以剥除该支撑基板时从横向方向中 发射一雷射光束至该第二多孔半导体剥离层中。 16.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,其中该形成一基底的步骤如 下: 于一晶种基板中形成一第一多孔半导体剥离层; 于该第一多孔半导体剥离层上形成该第一单晶半 导体层; 于该支撑基板上形成该第二多孔半导体剥离层; 于该第二多孔半导体剥离层上形成该第二单晶半 导体层; 于该第一单晶半导体层及该第二单晶半导体层中 至少其中一者上形成该绝缘层; 从该第一单晶半导体层端及该第二单晶半导体层 端来焊接该晶种基板及该支撑基板,两者间插入该 绝缘层; 利用该第一多孔半导体剥离层作为介面来剥除该 晶种基板;以及 利用氢退火处理来蚀刻该第一单晶半导体层的表 面。 17.如申请专利范围第16项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该第一多 孔半导体剥离层作为介面来剥除该晶种基板的步 骤中,可于旋转以剥除该晶种基板时从横向方向中 喷洒一流体至该第一多孔半导体剥离层中。 18.如申请专利范围第16项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该第一多 孔半导体剥离层作为介面来剥除该晶种基板的步 骤中,可于旋转以剥除该晶种基板时从横向方向中 发射一雷射光束至该第一多孔半导体剥离层中。 19.如申请专利范围第16项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该绝缘 层的步骤中,形成该绝缘层使其包括下面各种膜类 型中至少其中一者:氧化矽膜、氮化矽膜、由一氧 化矽膜及一氮化矽膜所组成的多层膜、由一氧化 矽膜、一氮化矽膜、以及一氧化矽膜所组成的多 层膜、一氮氧化矽膜、及一氧化铝膜。 20.如申请专利范围第16项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该第一 多孔半导体剥离层及该第二多孔半导体剥离层的 步骤中,藉由形成一由一单晶半导体层所组成的杂 质掺杂层来形成该层,其包括一种杂质,并且可利 用阳极转换法将其转换成一多孔半导体。 21.如申请专利范围第16项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该第一 多孔半导体剥离层及该第二多孔半导体剥离层的 步骤中,藉由让该第一多孔半导体剥离层的孔隙率 及厚度大于该第二多孔半导体剥离层的孔隙率及 厚度来形成该等层,使其能够在剥除该晶种基板时 以该第一多孔半导体剥离层作为介面来进行剥除, 而非以该第二多孔半导体剥离层作为介面。 22.如申请专利范围第16项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该第一 多孔半导体剥离层及该第二多孔半导体剥离层的 步骤中,藉由至少两层不同孔隙率的层来形成该层 。 23.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在分割成个别 的半导体元件的步骤中,以宽度窄于该刻槽宽度的 方式在该刻槽的实质中心处进行切割,使得部份该 树脂保护膜覆盖该第一单晶半导体层、该绝缘层 、以及经由切割法被分割之该第二单晶半导体层 的侧表面。 24.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,于分割成个别 的固态影像撷取元件之后进行下面的步骤: 移除该第二单晶半导体层以形成该树脂保护层,使 其突出该绝缘层表面之外的距离确切地对应该第 二单晶半导体层的厚度并且覆盖该固态影像撷取 元件的侧表面;以及 利用该树脂保护层的突出距离作为空气间隙,将一 透明基板从该绝缘层端黏贴至该固态影像撷取元 件。 25.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,在以该第二多孔半导体剥离层作为介 面来剥除该支撑基板的步骤之后且分割成个别的 固态影像撷取元件的步骤之前,实施从该固态影像 撷取元件的绝缘膜端黏贴一彩色滤光片基板的步 骤;以及 进一步包括,于该分割成个别的固态影像撷取元件 的步骤中,沿着填充该刻槽之该树脂保护膜,从该 彩色滤光片基板端进行切割,用以分割该个别的固 态影像撷取元件。 26.如申请专利范围第25项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,于该形成一树脂保护膜的步骤中,形 成一透明的树脂保护膜;以及 进一步包括,于该黏贴该彩色滤光片基板的步骤中 ,藉由监视穿越该树脂保护膜之该第一单晶半导体 层的校准标记以及该彩色滤光片基板的校准标记, 而后黏贴该彩色滤光片基板。 27.如申请专利范围第13项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,在以该第二多孔半导体剥离层作为介 面来剥除该支撑基板的步骤之后且分割成个别的 固态影像撷取元件的步骤之前,可实施下面的步骤 :移除该第二单晶半导体层以裸露出该绝缘层,于 该裸露绝缘层上形成一含有颜料的晶片上彩色滤 光片,以及于该晶片上彩色滤光片上形成复数个晶 片上微透镜;以及 进一步包括,于该分割成个别的固态影像撷取元件 的步骤之前或之后,实施从该等晶片上微透镜端于 该固态影像撷取感应器单元上黏贴一透明基板的 步骤,其间具有一取决于密封剂中之分隔物直径的 预定空气间隙。 28.一种制造超薄型半导体元件的方法,其步骤如下 : 透过一被离子植入的第一离子植入剥离层于一晶 种基板上形成一第一单晶半导体层; 透过一绝缘层从该第一单晶半导体层端将该晶种 基板焊接至一支撑基板; 利用该第一离子植入剥离层作为介面来分割该晶 种基板;以及 利用一被离子植入的第二离子植入剥离层作为介 面来分割该支撑基板,用以获得形成于该绝缘层之 上的该第一单晶半导体层。 29.一种制造超薄型半导体元件的方法,其步骤如下 : 形成一由一支撑基板所组成的基底,可于该支撑基 板上堆叠一被离子植入的第二离子植入剥离层、 一第二单晶半导体层、一绝缘层、以及一第一单 晶半导体层,并且于该第一单晶半导体层中形成一 半导体元件单元及欲被连接至该半导体元件单元 的复数个突出连接电极; 沿着一分割线形成一刻槽,用以从该第一单晶半导 体层端直到该基底的至少该第二离子植入剥离层 来将其分割成一个别的半导体元件; 形成一树脂保护膜,用以填充该刻槽的内部并且覆 盖该第一单晶半导体层的表面; 抛光该树脂保护膜的其中一表面,裸露出该表面中 之该等突出连接电极; 利用无残留的导电保护胶带来覆盖该树脂保护膜 表面及该等突出连接电极表面; 利用该第二离子植入剥离层作为介面来剥除该支 撑基板;以及 沿着被填充于该等刻槽中的树脂保护膜从该第二 单晶半导体层端进行切割,用以分割个别的半导体 元件。 30.如申请专利范围第29项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在以该第二离子植入剥离 层作为介面来剥除该支撑基板的步骤中,可于旋转 以剥除该支撑基板时从横向方向发射一雷射光束 至该第二离子植入剥离层中。 31.如申请专利范围第29项之制造超薄型半导体元 件的方法,其中该形成一由一支撑基板所组成的基 底,可于该支撑基板上堆叠一第二离子植入剥离层 、一第二单晶半导体层、一绝缘层、以及一第一 单晶半导体层,并且于该第一单晶半导体层中形成 一半导体元件单元及欲被连接至该半导体元件单 元的复数个突出连接电极的步骤如下: 将离子植入一晶种基板中,用以于从该晶种基板表 面算起之深度对应于该第一单晶半导体层之厚度 的位置处形成一第一离子植入剥离层; 于该支撑基板中形成一绝缘层; 从该第一单晶半导体层端及该绝缘层端来焊接该 晶种基板及该支撑基板; 以该第一离子植入剥离层作为介面来剥除该晶种 基板,用以形成一第一单晶半导体层; 利用氢退火处理来蚀刻该第一单晶半导体层的表 面; 于该第一单晶半导体层中形成该半导体元件; 植入离子,使其从该第一单晶半导体层端穿越该绝 缘层,用以于从该支撑基板与该绝缘膜的焊接介面 算起之深度对应于该第二单晶半导体层之厚度的 位置处形成一第二离子植入剥离层;以及 于该第一单晶半导体层中形成该等欲被连接至该 半导体元件单元的复数个突出连接电极。 32.如申请专利范围第31项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在以该第一离子植入剥离 层作为介面来剥除该晶种基板的步骤中,可于旋转 以剥除该晶种基板时从横向方向发射一雷射光束 至该第一离子植入剥离层中。 33.如申请专利范围第31项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在形成该绝缘层的步骤中, 形成该绝缘层使其包括下面各种膜类型中至少其 中一者:氧化矽膜、氧化矽膜、由一氧化矽膜及一 氮化矽膜所组成的多层膜、由一氧化矽膜、一氮 化矽膜、以及一氧化矽膜所组成的多层膜、一氮 氧化矽膜、及一氧化铝膜。 34.如申请专利范围第31项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,于以该第一离子植入剥离 层作为介面来剥除该晶种基板的步骤中,实施热处 理,用以于该第一离子植入剥离层中造成应变,而 后便于用以分割该晶种基板和该支撑基板的方向 进行牵引,以剥除该晶种基板。 35.如申请专利范围第31项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,于该形成该第二离子植入 剥离层的步骤之后,实施热处理的步骤,用以于该 第二离子植入剥离层中造成应变。 36.如申请专利范围第29项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在分割成个别的半导体元 件的步骤中,以宽度窄于该刻槽宽度的方式在该刻 槽的实质中心处进行切割,使得部份该树脂保护膜 覆盖该第一单晶半导体层、该绝缘层、以及经由 切割法被分割之该第二单晶半导体层的侧表面。 37.一种制造超薄型背光固态影像撷取元件的方法, 其步骤如下: 形成一由一支撑基板所组成的基底,可于该支撑基 板上堆叠一被离子植入的第二离子植入剥离层、 一第二单晶半导体层、一绝缘层、以及一第一单 晶半导体层,并且于该第一单晶半导体层中形成一 固态影像撷取感应器单元及欲被连接至该固态影 像撷取感应器单元的复数个突出连接电极; 沿着一分割线形成一刻槽,用以从该第一单晶半导 体层端直到该基底的至少该第二离子植入剥离层 来将其分割成一个别的固态影像撷取元件; 形成一树脂保护膜,用以填充该刻槽的内部并且覆 盖该第一单晶半导体层的表面; 抛光该树脂保护膜的其中一表面,裸露出该表面中 之该等突出连接电极; 利用无残留的导电保护胶带来覆盖该树脂保护膜 表面及该等突出连接电极表面; 利用该第二离子植入剥离层作为介面来剥除该支 撑基板;以及 沿着被填充于该刻槽中的树脂保护膜从该第二单 晶半导体层端进行切割,用以分割个别的固态影像 撷取元件。 38.如申请专利范围第37项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该第二离 子植入剥离层作为介面来剥除该支撑基板的步骤 中,可于旋转以剥除该支撑基板时从横向方向发射 一雷射光束至该第二离子植入剥离层中。 39.如申请专利范围第37项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,其中该形成一由一支撑基板 所组成的基底,可于该支撑基板上堆叠一第二离子 植入剥离层、一第二单晶半导体层、一绝缘层、 以及一第一单晶半导体层,并且于该第一单晶半导 体层中形成一固态影像撷取感应器单元及欲被连 接至该固态影像撷取感应器单元的复数个突出连 接电极的步骤如下: 将离子植入一晶种基板中,用以于从该晶种基板表 面算起之深度对应于该第一单晶半导体层之厚度 的位置处形成一第一离子植入剥离层; 于该支撑基板中形成一绝缘层; 从该第一单晶半导体层端及该绝缘层端来焊接该 晶种基板及该支撑基板; 以该第一离子植入剥离层作为介面来剥除该晶种 基板,用以形成一第一单晶半导体层; 利用氢退火处理来蚀刻该第一单晶半导体层的表 面; 于该第一单晶半导体层中形成该固态影像撷取感 应器单元; 植入离子,使其从该第一单晶半导体层端穿越该绝 缘层,用以于从该支撑基板与该绝缘膜的焊接介面 算起之深度对应于该第二单晶半导体层之厚度的 位置处形成一第二离子植入剥离层;以及 于该第一单晶半导体层中形成该等欲被连接至该 固态影像撷取感应器单元的复数个突出连接电极 。 40.如申请专利范围第39项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该第一离 子植入剥离层作为介面来剥除该晶种基板的步骤 中,可于旋转以剥除该晶种基板时从横向方向发射 一雷射光束至该第一离子植入剥离层中。 41.如申请专利范围第39项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该绝缘 层的步骤中,形成该绝缘层使其包括下面各种膜类 型中至少其中一者:氧化矽膜、氮化矽膜、由一氧 化矽膜及一氮化矽膜所组成的多层膜、由一氧化 矽膜、一氮化矽膜、以及一氧化矽膜所组成的多 层膜、一氮氧化矽膜、及一氧化铝膜。 42.如申请专利范围第39项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,于以该第一离 子植入剥离层作为介面来剥除该品种基板的步骤 中,实施热处理,用以于该第一离子植入剥离层中 造成应变,而后便于用以分割该晶种基板和该支撑 基板的方向进行牵引,以剥除该晶种基板。 43.如申请专利范围第39项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,于该形成该第 二离子植入剥离层的步骤之后,实施热处理的步骤 ,用以于该第二离子植入剥离层中造成应变。 44.如申请专利范围第37项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在分割成个别 的半导体元件的步骤中,以宽度窄于该刻槽宽度的 方式在该刻槽的实质中心处进行切割,使得部份该 树脂保护膜覆盖该第一单晶半导体层、该绝缘层 、以及经由切割法被分割之该第二单晶半导体层 的侧表面。 45.如申请专利范围第37项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,于分割成个别 的固态影像撷取元件之后进行下面的步骤: 移除该第二单晶半导体层以形成该树脂保护层,使 其突出该绝缘层表面之外的距离确切地对应该第 二单晶半导体层的厚度并且覆盖该固态影像撷取 元件的侧表面;以及 利用该树脂保护层的突出距离作为空气间隙,将一 透明基板从该绝缘层端黏贴至该固态影像撷取元 件。 46.如申请专利范围第37项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,在以该第二离子植入剥离层作为介面 来剥除该支撑基板的步骤之后且分割成个别的固 态影像撷取元件的步骤之前,实施从该固态影像撷 取元件的绝缘膜端黏贴一彩色滤光片基板的步骤; 以及 进一步包括,于该分割成个别的固态影像撷取元件 的步骤中,沿着填充该刻槽之该树脂保护膜,从该 彩色滤光片基板端进行切割,用以分割该个别的固 态影像撷取元件。 47.如申请专利范围第46项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,于该形成一树脂保护膜的步骤中,形 成一透明的树脂保护膜;以及 进一步包括,于该黏贴该彩色滤光片基板的步骤中 ,藉由监视穿越该树脂保护膜之该第一单晶半导体 层的校准标记以及该彩色滤光片基板的校准标记, 而后黏贴该彩色滤光片基板。 48.如申请专利范围第37项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,在以该第二离子植入剥离层作为介面 来剥除该支撑基板的步骤之后且分割成个别的固 态影像撷取元件的步骤之前,可实施下面的步骤: 移除该第二单晶半导体层以裸露出该绝缘层,于该 裸露绝缘层上形成一含有颜料的晶片上彩色滤光 片,以及于该晶片上彩色滤光片上形成复数个晶片 上微透镜;以及 进一步包括,于该分割成个别的固态影像撷取元件 的步骤之前或之后,实施从该等晶片上微透镜端于 该固态影像撷取感应器单元上黏贴一透明基板的 步骤,其间具有一取决于密封剂中之分隔物直径的 预定空气间隙。 49.一种制造超薄型半导体元件的方法,其步骤如下 : 透过一被离子植入的第一离子植入剥离层于一晶 种基板上形成一单晶半导体层; 透过一绝缘层从该单晶半导体层端将该晶种基板 焊接至其中已形成一多孔半导体剥离层的支撑基 板中; 利用该离子植入剥离层作为介面来分割该晶种基 板;以及 利用该多孔半导体剥离层作为介面来分割该支撑 基板,用以获得形成于该绝缘层之上的该单晶半导 体层。 50.一种制造超薄型半导体元件的方法,其步骤如下 : 形成一由一支撑基板所组成的基底,可于该支撑基 板上堆叠一多孔半导体剥离层、一第二单晶半导 体层、一绝缘层、以及一第一单晶半导体层,并且 于该第一单晶半导体层中形成一半导体元件单元 及欲被连接至该半导体元件单元的复数个突出连 接电极; 沿着一分割线形成一刻槽,用以从该第一单晶半导 体层端直到该基底的至少该多孔半导体剥离层来 将其分割成一个别的半导体元件; 形成一树脂保护膜,用以填充该刻槽的内部并且覆 盖该第一单晶半导体层的表面; 抛光该树脂保护膜的其中一表面,裸露出该表面中 之该等突出连接电极; 利用无残留的导电保护胶带来覆盖该树脂保护膜 表面及该等突出连接电极表面; 利用该多孔半导体剥离层作为介面来剥除该支撑 基板;以及 沿着被填充于该等刻槽中的树脂保护膜从该第二 单晶半导体层端进行切割,用以分割个别的半导体 元件。 51.如申请专利范围第50项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在以该多孔半导体剥离层 作为介面来剥除该支撑基板的步骤中,可于旋转以 剥除该支撑基板时从横向方向中喷洒一流体至该 多孔半导体剥离层中。 52.如申请专利范围第50项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在以该多孔半导体剥离层 作为介面来剥除该支撑基板的步骤中,可于旋转以 剥除该支撑基板时从横向方向中发射一雷射光束 至该多孔半导体剥离层中。 53.如申请专利范围第50项之制造超薄型半导体元 件的方法,其中该形成一基底的步骤如下: 将离子植入一晶种基板中,用以于从该晶种基板表 面算起之深度对应于该第一单晶半导体层之厚度 的位置处形成一离子植入剥离层; 于该支撑基板上形成该多孔半导体剥离层; 于该多孔半导体剥离层上形成该第二单晶半导体 层; 于该第二单晶半导体层上形成该绝缘层; 从该第一单晶半导体层端及该绝缘层端来焊接该 晶种基板及该支撑基板; 以该离子植入剥离层作为介面来剥除该品种基板, 用以形成一第一单晶半导体层;以及 利用氢退火处理来蚀刻该第一单晶半导体层的表 面。 54.如申请专利范围第53项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在以该离子植入剥离层作 为介面来剥除该晶种基板的步骤中,可于旋转以剥 除该品种基板时从横向方向发射一雷射光束该离 子植入剥离层中。 55.如申请专利范围第53项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在形成该绝缘层的步骤中, 形成该绝缘层使其包括下面各种膜类型中至少其 中一者:氧化矽膜、氮化矽膜、由一氧化矽膜及一 氮化矽膜所组成的多层膜、由一氧化矽膜、一氮 化矽膜、以及一氧化矽膜所组成的多层膜、一氮 氧化矽膜、及一氧化铝膜。 56.如申请专利范围第53项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,于以该离子植入剥离层作 为介面来剥除该晶种基板的步骤中,实施热处理, 用以于该离子植入剥离层中造成应变,而后便于用 以分割该晶种基板和该支撑基板的方向进行牵引, 以剥除该晶种基板。 57.如申请专利范围第53项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在形成该多孔半导体剥离 层的步骤中,形成一由一单晶半导体层所组成的杂 质掺杂层,其包含一种杂质,并且可利用阳极转换 法将其转换成一多孔半导体。 58.如申请专利范围第53项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在形成该多孔半导体剥离 层的步骤中,以一孔隙率来形成该多孔半导体剥离 层,使其能够在剥除该品种基板时以该离子植入剥 离层作为介面来进行剥离,而非以该多孔半导体剥 离层作为介面。 59.如申请专利范围第53项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在形成该多孔半导体剥离 层的步骤中,藉由至少两层不同孔隙率的层来形成 该层。 60.如申请专利范围第50项之制造超薄型半导体元 件的方法,进一步包括,在分割成个别的半导体元 件的步骤中,以宽度窄于该刻槽宽度的方式在该刻 槽的实质中心处进行切割,使得部份该树脂保护膜 覆盖该第一单晶半导体层、该绝缘层、以及经由 切割法被分割之该第二单晶半导体层的侧表面。 61.一种制造超薄型背光固态影像撷取元件的方法, 其步骤如下: 形成一由一支撑基板所组成的基底,可于该支撑基 板上堆叠一多孔半导体剥离层、一第二单晶半导 体层、一绝缘层、以及一第一单晶半导体层,并且 于该第一单晶半导体层中形成一固态影像撷取感 应器单元及欲被连接至该固态影像撷取感应器单 元的复数个突出连接电极; 沿着一分割线形成一刻槽,用以从该第一单晶半导 体层端直到该基底的至少该多孔半导体剥离层来 将其分割成一个别的固态影像撷取元件; 形成一树脂保护膜,用以填充该刻槽的内部并且覆 盖该第一单晶半导体层的表面; 抛光该树脂保护膜的其中一表面,裸露出该表面中 之该等突出连接电极; 利用无残留的导电保护胶带来覆盖该树脂保护膜 表面及该等突出连接电极表面; 利用该多孔半导体剥离层作为介面来剥除该支撑 基板;以及 沿着被填充于该刻槽中的树脂保护膜从该第二单 晶半导体层端进行切割,用以分割个别的固态影像 撷取元件。 62.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该多孔半 导体剥离层作为介面来剥除该支撑基板的步骤中, 可于旋转以剥除该支撑基板时从横向方向中喷洒 一流体至该多孔半导体剥离层中。 63.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该多孔半 导体剥离层作为介面来剥除该支撑基板的步骤中, 可于旋转以剥除该支撑基板时从横向方向中发射 一雷射光束至该多孔半导体剥离层中。 64.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,其中该形成一基底的步骤如 下: 将离子植入一晶种基板中,用以于从该晶种基板表 面算起之深度对应于该第一单晶半导体层之厚度 的位置处形成一离子植入剥离层; 于该支撑基板上形成该多孔半导体剥离层; 于该多孔半导体剥离层上形成该第二单晶半导体 层; 于该第二单晶半导体层上形成该绝缘层; 从该第一单晶半导体层端及该绝缘层端来焊接该 晶种基板及该支撑基板; 以该离子植入剥离层作为介面来剥除该晶种基板, 用以形成一第一单晶半导体层;以及 利用氢退火处理来蚀刻该第一单晶半导体层的表 面。 65.如申请专利范围第64项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在以该离子植 入剥离层作为介面来剥除该晶种基板的步骤中,可 于旋转以剥除该晶种基板时从横向方向发射一雷 射光束至该离子植入剥离层中。 66.如申请专利范围第64项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该绝缘 层的步骤中,形成该绝缘层使其包括下面各种膜类 型中至少其中一者:氧化矽膜、氮化矽膜、向一氧 化矽膜及一氮化矽膜所组成的多层膜、由一氧化 矽膜、一氮化矽膜、以及一氧化矽膜所组成的多 层膜、一氮氧化矽膜、及一氧化铝膜。 67.如申请专利范围第64项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,于以该离子植 入剥离层作为介面来剥除该晶种基板的步骤中,实 施热处理,用以于该离子植入剥离层中造成应变, 而后便于用以分割该品种基板和该支撑基板的方 向进行牵引,以剥除该晶种基板。 68.如申请专利范围第64项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该多孔 半导体剥离层的步骤中,形成一由一单晶半导体层 所组成的杂质掺杂层,其包含一种杂质,并且可利 用阳极转换法将其转换成一多孔半导体。 69.如申请专利范围第64项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该多孔 半导体剥离层的步骤中,以一孔隙率来形成该多孔 半导体剥离层,使其能够在剥除该晶种基板时以该 离子植入剥离层作为介面来进行剥离,而非以该多 孔半导体剥离层作为介面。 70.如申请专利范围第64项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在形成该多孔 半导体剥离层的步骤中,藉由至少两层不同孔隙率 的层来形成该层。 71.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,在分割成个别 的半导体元件的步骤中,以宽度窄于该刻槽宽度的 方式在该刻槽的实质中心处进行切割,使得部份该 树脂保护膜覆盖该第一单晶半导体层、该绝缘层 、以及经由切割法被分割之该第二单晶半导体层 的侧表面。 72.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法,进一步包括,于分割成个别 的固态影像撷取元件之后进行下面的步骤: 移除该第二单晶半导体层以形成该树脂保护层,使 其突出该绝缘层表面之外的距离确切地对应该第 二单晶半导体层的厚度并且覆盖该固态影像撷取 元件的侧表面;以及 利用该树脂保护层的突出距离作为空气间隙,将一 透明基板从该绝缘层端黏贴至该固态影像撷取元 件。 73.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,在以该多孔半导体剥离层作为介面来 剥除该支撑基板的步骤之后且分割成个别的固态 影像撷取元件的步骤之前,实施从该固态影像撷取 元件的绝缘膜端黏贴一彩色滤光片基板的步骤;以 及 进一步包括,于该分割成个别的固态影像撷取元件 的步骤中,沿着填充该刻槽之该树脂保护膜,从该 彩色滤光片基板端进行切割,用以分割该个别的固 态影像撷取元件。 74.如申请专利范围第73项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,于该形成一树脂保护膜的步骤中,形 成一透明的树脂保护膜;以及 进一步包括,于该黏贴该彩色滤光片基板的步骤中 ,藉由监视穿越该树脂保护膜之该第一单晶半导体 层的校准标记以及该彩色滤光片基板的校准标记, 而后黏贴该彩色滤光片基板。 75.如申请专利范围第61项之制造超薄型背光固态 影像撷取元件的方法, 进一步包括,在以该多孔半导体剥离层作为介面来 剥除该支撑基板的步骤之后且分割成个别的固态 影像撷取元件的步骤之前,可实施下面的步骤:移 除该第二单晶半导体层以裸露出该绝缘层,于该裸 露绝缘层上形成一含有颜料的晶片上彩色滤光片, 以及于该晶片上彩色滤光片上形成复数个晶片上 微透镜;以及 进一步包括,于该分割成个别的固态影像撷取元件 的步骤之前或之后,实施从该等晶片上微透镜端于 该固态影像撷取感应器单元上黏贴一透明基板的 步骤,其间具有一取决于密封剂中之分隔物直径的 预定空气间隙。 76.一种超薄型半导体元件的制造装置,其会将流体 释放到一内部具有至少两个多孔半导体剥离层的 基板上,用以分割一预定的多孔半导体剥离层中的 该基板,其包括: 复数个支撑部份,用以旋转支撑该基板的前部与背 部; 一释放部份,用以朝该预定的多孔半导体剥离层来 释放该流体;以及 一阻止层部份,用以避免从该释放部份流出的流体 侵入其它的多孔半导体剥离层。 77.如申请专利范围第76项之超薄型半导体元件的 制造装置,其中该释放部份会释放该含有复数颗固 态细微粒的流体。 78.如申请专利范围第76项之超薄型半导体元件的 制造装置,其中该释放部份会释放该被注入超音波 的流体。 79.一种超薄型背光固态影像撷取元件的制造装置, 其会将流体释放到一内部具有至少两个多孔半导 体剥离层的基板上,用以分割一预定的多孔半导体 剥离层中的该基板,其包括: 复数个支撑部份,用以旋转支撑该基板的前部与背 部; 一释放部份,用以朝该预定的多孔半导体剥离层来 释放该流体;以及 一阻止层部份,用以避免从该释放部份流出的流体 侵入其它的多孔半导体剥离层。 80.如申请专利范围第79项之超薄型背光固态影像 撷取元件的制造装置,其中该释放部份会释放该含 有复数颗固态细微粒的流体。 81.如申请专利范围第79项之超薄型背光固态影像 撷取元件的制造装置,其中该释放部份会释放该被 注入超音波的流体。 82.一种超薄型半导体元件的制造装置,其会利用一 预定的多孔半导体剥离层或离子植入剥离层作为 介面来分割一基板,该基板内部具有至少两个多孔 半导体剥离层或藉由离子植入法所获得的离子植 入剥离层,其包括: 复数个支撑部份,用以旋转支撑该基板的前部与背 部;以及 一雷射输出部份,用以朝该预定的多孔半导体剥离 层或离子植入剥离层发出一雷射光束。 83.一种超薄型背光固态影像撷取元件的制造装置, 其会利用一预定的多孔半导体剥离层或离子植入 剥离层作为介面来分割一基板,该基板内部具有至 少两个多孔半导体剥离层或藉由离子植入法所获 得的离子植入剥离层,其包括: 复数个支撑部份,用以旋转支撑该基板的前部与背 部;以及 一雷射输出部份,用以朝该预定的多孔半导体剥离 层或离子植入剥离层发出一雷射光束。 图式简单说明: 图1A及1B为于制造本发明第一具体实施例之背光固 态影像撷取元件中在形成一多孔Si层之后的状态 的剖面图; 图2A及2B为于制造该第一具体实施例之背光固态影 像撷取元件中在实施一半导体层及一绝缘层的形 成步骤之后的状态的剖面图; 图3A及3B为于制造该第一具体实施例之背光固态影 像撷取元件中在实施基板焊接及剥离一晶种基板 之后的状态的剖面图; 图4A及4B为于制造该第一具体实施例之背光固态影 像撷取元件中在实施氢退火步骤之后的状态的剖 面图; 图5为于制造该第一具体实施例之背光固态影像撷 取元件中在形成一元件之后的状态的剖面图; 图6A及6B为于制造本发明第一具体实施例之背光固 态影像撷取元件中在形成一刻槽及一树脂保护膜 并且分割一支撑基板之后的状态的剖面图; 图7A及7B为于制造该第一具体实施例之背光固态影 像撷取元件中在实施完整切割之后的状态的剖面 图; 图8A及8B为于制造该第一具体实施例之背光固态影 像撷取元件中在制造该背光固态影像撷取元件晶 片之后的状态的剖面图; 图9A及9B为于制造本发明第一具体实施例之背光固 态影像撷取元件中在黏贴一透明基板且安装于一 安装板上之后的状态的剖面图; 图10A至10C为于制造第二具体实施例之背光固态影 像撷取元件中在形成一氢离子植入层及一绝缘膜 之后的状态的剖面图; 图11A及11B为于制造该第二具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在焊接该等基板之后的状态的剖 面图; 图12为于制造该第二具体实施例之背光固态影像 撷取元件中在分割一晶种基板之后的状态的剖面 图; 图13为于制造该第二具体实施例之背光固态影像 撷取元件中在形成一元件之后的状态的剖面图; 图14A及14B为于制造该第二具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在形成一刻槽及一树脂保护膜并 且分割一支撑基板之后的状态的剖面图; 图15A及15B为于制造一第三具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在该晶种基板中形成一离子植入 层且在该支撑基板中形成一多孔Si层、一第二半 导体层、及一绝缘膜之后的状态的剖面图; 图16为于制造该第三具体实施例之背光固态影像 撷取元件中在焊接该等基板之后的状态的剖面图; 图17为于制造该第三具体实施例之背光固态影像 撷取元件中在分割一晶种基板之后的状态的剖面 图; 图18A及18B为于制造一第四具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在黏贴一彩色滤光片基板之后的 状态的剖面图; 图19A及19B为于制造该第四具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在实施完整切割且安装于该安装 板上之后的状态的剖面图; 图20A及20B为于制造一第五具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在形成一晶片上彩色滤光片及复 数个晶片上透镜之后的状态的剖面图; 图21A及21B为于制造该第五具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在实施完整切割且安装于该安装 板上之后的状态的剖面图; 图22A及22B为于制造一第六具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在实施一多孔Si层、一半导体层 及一绝缘膜的形成步骤之后的状态的剖面图; 图23A及23B为于制造该第六具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在实施基板焊接及剥离该晶种基 板之后的状态的剖面图; 图24A及24B为于制造该第六具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在实施氢退火步骤且形成一元件 之后的状态的剖面图; 图25A及25B为于制造该第六具体实施例之背光固态 影像撷取元件中在形成一刻槽及一树脂保护膜并 且分割该支撑基板之后的状态的剖面图;以及 图26为于制造该第六具体实施例之背光固态影像 撷取元件中在安装于一安装板上之后的状态的剖 面图。 |
