| 摘要 |
本发明之目的，在于揭示一种具有高介电值(high–k)闸极介电层之金氧半电晶体(MOS)之制程及设备。首先为提供一基底，一高介电值(high–k)闸极介电层材料沉积覆盖该基底，一闸极电极层沉积覆盖该介电层材料，以及进行一图形化步骤，以制造闸极及介电层之侧壁，移除基底之一部分。侧壁材料沉积覆盖于图形化之闸极电极及介电层，以制造图形化闸极电极及介电层之侧壁保护层，延伸侧壁保护层以连接介电层底部。在另一实施例中，沉积一通道材料，邻接于高介电值(high–k)闸极介电层，以及进行一图形化步骤，移除高介电值(high–k)闸极介电层下方至少一部分通道材料。在另一实施例中，通道材料为反向沉积。 |
