非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明系提高非挥发性半导体记忆装置之制造良率与可靠性。本发明于制造藉由形成于半导体基板之p型井上之n型半导体区域(源极、汲极)与三个闸极(浮游闸极、控制闸极以及选择闸极5)构成记忆体单元之AND型快闪记忆体时，将砷(As)导入选择闸极5之一方侧壁附近之p型井3而形成n型半导体区域(源极、汲极)7之后，作为汲极干扰对策，使用ISSG(In–Situ Steam G eneration，原位蒸发法)氧化法热处理基板1，从而加厚形成位于形成有n型半导体区域7一方之侧壁附近的第1闸极绝缘膜4之膜厚。