| 摘要 |
一种记忆体装置。于一实施型态中，该记忆体装置包括复数之电晶体，各电晶体包括：(1)复数之掺杂区其中一区的一部份，而该等掺杂区形成于基材中；以及(2)复数之第一导体其中一导体的一部份，该等第一导体皆延伸于该等复数之掺杂区其中一区之上，而该等复数之第一导体包括于第一金属层中。该记忆体装置尚包括第二金属层，其包括复数之第二导体，该等第二导体皆作为部份该等复数之电晶体之内连线。该记忆体装置亦包括第三金属层，其包括复数之位元线，该等位元线皆作为部份该等复数之电晶体之内连线。该记忆体装置亦包括第四金属层，其包括复数之字元线，该等字元线皆作为部份该等复数之电晶体之内连线。 |
