| 主权项 |
1.一种个人电脑,包含: 一显示板,其接附至该个人电脑之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极绝缘膜相同 的材料,和第二层,其含有与至少该源极或汲极电 极之一相同的材料。 2.一种个人电脑,包含: 一显示板,其接附至该个人电脑之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 一氮化矽膜覆盖至少该闸极电极和半导体层; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极绝缘膜相同 的材料,和第二层,其含有与氮化矽膜相同的材料 。 3.一种个人电脑,包含: 一显示板,其接附至该个人电脑之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 一氮化矽膜覆盖至少该闸极电极和半导体层; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与至少源极和汲极 电极之一相同的材料,和第二层,其含有与氮化矽 膜相同的材料。 4.一种个人电脑,包含: 一显示板,其接附至该个人电脑之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 一氮化矽膜覆盖至少该闸极电极和半导体层; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极绝缘膜相同 的材料,和第二层,其含有与至少源极和汲极之一 相同的材料,和第三层,其含有与氮化矽膜相同的 材料。 5.如申请专利范围第1至4项任一项之个人电脑,其 中至少一间隔器包括在密封构件中。 6.如申请专利范围第1至4项任一项之个人电脑,其 中该闸极电极形成在半导体层上。 7.如申请专利范围第1至4项任一项之个人电脑,其 中至少源极和汲极电极之一包含钛和铝的叠层构 造。 8.如申请专利范围第1至4项任一项之个人电脑,其 中该半导体层包含结晶矽。 9.一种数位相机,包含: 一显示板,其接附至该数位相机之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极电极相同的 材料,和第二层,其含有与半导体层相同的材料。 10.一种数位相机,包含: 一显示板,其接附至该数位相机之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极电极相同的 材料,第二层,其含有与闸极绝缘膜相同的材料,和 第三层,其含有与半导体层相同的材料。 11.一种数位相机,包含: 一显示板,其接附至该数位相机之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极电极相同的 材料,第二层,其含有与半导体层相同的材料,和第 三层,其含有与至少源极和汲极电极之一相同的材 料。 12.一种数位相机,包含: 一显示板,其接附至该数位相机之主体,该显示板 包含: 一主动矩阵电路在一基底之第一区域上,该主动矩 阵电路包含至少一薄膜电晶体,该薄膜电晶体包含 一闸极电极,一半导体层,和介于其间之一闸极绝 缘膜; 至少一源极或汲极电极电连接至半导体层; 一突起形成在基底之第二区域上;和 一密封构件在该突起上, 其中该突起包含第一层,其含有与闸极电极相同的 材料,第二层,其含有与闸极绝缘膜相同的材料,第 三层,其含有与半导体层相同的材料,和第四层,其 含有与至少源极和汲极之一相同的材料。 13.如申请专利范围第9至12项任一项之数位相机,其 中至少一间隔器包括在密封构件中。 14.如申请专利范围第9至12项任一项之数位相机,其 中该闸极电极形成在半导体层上。 15.如申请专利范围第9至12项任一项之数位相机,其 中至少源极和汲极电极之一包含钛和铝的叠层构 造。 16.如申请专利范围第9至12项任一项之数位相机,其 中该半导体层包含结晶矽。 图式简单说明: 图1A至1D为根据本发明的实施例1的主动矩阵液晶 显示板的制造程序的截面图。 图2为根据本发明的实施例1的主动矩阵液晶显示 板的截面图,和 图3A至3E为应用根据本发明的实施例3的主动矩阵 液晶显示板的装置。 |
