制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体装置之方法。在植入门槛电压离子之前，一不具电气性质之惰性离子植入一通道区域之底部以形成一反扩散层。所以，下列系为可能的：防止调整该门槛电压之一离子扩散至该通道区域之底部，其发生在随后退火方法中，且当一高电压施加至一P井时，阻止在该通道区域中离子的行为。进一步地，该反扩散层作为一层以收集在半导体基板中存在之缺陷等等。并且，因为通道离子的量可藉由控制该惰性离子之植入深度而调整，所以取决于较高整合度而控制装置之门槛电压系可能的。

主权项

1.一种制造半导体装置之方法,包括下列步骤: 在一半导体基板上形成一牺牲氧化物膜; 在该半导体基板上形成三重井; 植入一惰性离子至该半导体基板一给定深度以形 成一反扩散层; 植入一用于调整该门槛电压之离子至在该反扩散 层上之半导体基板; 移除该牺牲氧化物膜,随后在该半导体基板上形成 一隧道氧化物膜、一多晶矽层以及一垫氮化物膜; 藉由隔离遮罩之方法图案化该垫氮化物膜,随后蚀 刻该多晶矽层、该隧道氧化物膜以及半导体基板 之暴露部分以形成一沟渠;以及 在该整个结构上形成一氧化物膜使得该沟渠被掩 埋、平面化该氧化物膜之表面,之后移除该剩余垫 氮化物膜以在该沟渠中形成一隔离膜。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该惰性离子系 为一氮离子,且以5E12~5E13离子/平方公分之剂量和 具有500~1500K电子伏特之能量,使用NH3为来源气体而 植入。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲氧化物 膜藉由使用DHF(50:1)+SC-1(NH4OH/H2O2/H2O)或BOE(100:1或300: 1)+SC-1(NH4OH/H2O2/H2O)之混合溶液之洁净处理方法,在 750~800℃之温度,以70~100埃之厚度形成。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中调整该门槛电 压之离子系为一硼(B11)离子且以1E11~1E13离子/平方 公分之剂量植入。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲氧化物 膜藉由使用DHF(50:1)+SC-1(NH4OH/H2O2/H2O)洁净方法而移 除。 图式简单说明: 图1A~图1I系为根据本发明之一较佳具体实施例的 半导体装置之剖面检视图; 图2系为显示根据本发明之在反扩散层之浓度散布 图; 图3A~图3I系为根据本发明之另一较佳具体实施例 之半导体装置之剖面检视图;以及 图4系为显示根据本发明在反扩散层之浓度散布图 。