| 主权项 |
1.一种反射防止膜,其特征为设置于透光性基材的 表面,由该透光性基材侧往空气层侧方向依序层积 折射率为1.70~1.80,光学膜厚为0.21~0.29之第1层; 折射率为2.20以上,光学膜厚为0.4l~0.54之第2层; 折射率为1.44~l.49,光学膜厚为0.22~0.27之第3层 。 2.如申请专利范围第1项之反射防止膜,其中第1层, 第2层及第3层为由无机介电体层所构成。 3.如申请专利范围第1项之反射防止膜,其中第1层 为由粘结剂与折射率为1.5以上之超微粒子之层所 构成,第2层及第3层为由无机介电体层所构成。 4.如申请专利范围第3项之反射防止膜,其中第1层 之粘结剂为热固性树脂或电离放射线固化型树脂, 超微粒子系至少一种以上选自由ZnO,TiO2,Sb2O5,SnO2, ITO,Y2O3,La2O3,Al2O3,Hf2O3,Nb2O5,Bi2O3,Ta2O5,MoO3,CeO2,ZrO2,所 成群的超微粒子。 5.如申请专利范围第3项或第4项之反射防止膜,其 中第1层上形成凹凸。 6.一种反射防止膜,其特征为设置于透光性基材的 表面,由该透光性基材侧往空气层侧方向依序层积 :由至少一种选自由Si,Al,及W所成群的元素与至少 一种选自由Bi,Mo,Ta,Zn,Ti,Nb,In,Zr及Sn所成群的元素之 氧化物的混合物或复合氧化物的层所构成,且其厚 度为60nm~95nm之第1层;至少一种选自由Ti及Nb所成群 之元素之氧化物的层所构成,且其厚度为90nm~125 nm 之第2层;由Si之氧化物所构成,且其厚度为80nm~100nm 之第3层 7.一种反射防止膜,其特征为设置于透光性基材的 表面,由该透光性基材侧往空气层侧方向依序层积 :由粘着剂与折射率为1.5以上之超微粒子的层所构 成,且其厚度为60nm~95 nm之第1层;至少一种选自由Ti 及Nb所成群之元素之氧化物的层所构成,且其厚度 为90nm~125nm之第2层;由Si之氧化物所构成,且其厚度 为80nm~100nm之第3层。 8.如申请专利范围第7项之反射防止膜,其中第1层 之粘结剂为热固性树脂及/或电离放射线固化型树 脂,超微粒子系至少一种以上选自由ZnO,TiO2,Sb2O5,SnO 2,ITO,Y2O3,La2O3,A12O3,Hf2O3,Nb2O5,Bi2O3,Ta2O5,MoO3,CeO2,ZrO2, 所成群的超微粒子。 9.如申请专利范围第7项或第8项之反射防止膜,其 中第1层上形成凹凸。 10.一种如申请专利范围第1项,第2项或第6项之反射 防止膜的形成方法,其特征为藉由真空涂布法形成 第1层,第2层及第3层。 11.一种如申请专利范围第1项,第2项或第6项之反射 防止膜的形成方法,其特征为使用含有至少一种选 自由Si,Al,及W所成群的元素,及至少一种选自由Bi,Mo ,Ta,Zn,Ti,Nb,In,Zr及Sn所成群的元素之溅镀靶,藉由溅 镀法形成第1层。 12.一种如申请专利范围第1项,第2项或第6项之反射 防止膜的形成方法,其特征为使用含有Ti与Si,且以 Si/(Si+Ti)表示之原子比为0.41~0.55之溅镀靶,藉由溅 镀法形成第1层。 13.一种如申请专利范围第1项,第3项,第4项,第7项或 第8项之反射防止膜的形成方法,其特征为使用由 粘结剂与折射率为1.5以上之超微粒子之层所构成 之涂料,藉由涂布法或印刷法形成第1层。 14.一种如申请专利范围第1项,第3项,第4项,第7项或 第8项之反射防止膜的形成方法,其特征为使用曲 粘结剂与折射率为1.5以上之超微粒子之层所构成 之涂料,藉由真空涂布法形成第2层及第3层。 15.如申请专利范围第1项~第9项中任一项之反射防 止膜,其系用于偏光板。 16.如申请专利范围第1项~第9项中任一项之反射防 止膜,其系用于光学薄膜。 17.一种液晶显示装置,其特征设置如申请专利范围 第1项~第9项中任一项之反射防止膜,其系用于液晶 显示装置。 图式简单说明: 图1系表示本发明之反射防止膜之断面模式图。 图2系表示实施例1制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 图3系表示实施例2制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 图4系表示实施例3制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 图5系表示实施例4制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 图6系表示实施例5制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 图7系表示比较例1制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 图8系表示比较例2制得之反射防止膜之反射防止 基材侧之面的反射光谱图。 |
