| 主权项 |
1.一种增进浅沟渠隔离结构高度均匀性的方法,其 步骤包括有: 提供一半导体基底; 于该半导体基底上依序形成一垫氧化层,以及一氮 化物层; 于该半导体基底上形成一第一图案化光阻层,以该 第一图案化光阻层为罩幕,对该垫氧化层、该氮化 物层与该半导体基底进行蚀刻,以定义出主动区域 与形成复数个浅沟渠结构,然后移除该第一图案化 光阻层; 于该半导体基底上沉积一氧化物层,以填满该浅沟 渠结构; 于该半导体基底上形成一第二图案化光阻层,以该 第二图案化光阻层为罩幕,对该氧化物层进行蚀刻 ,以于主动区域之氧化物层上形成复数个阵列排列 之氧化物柱、氧化物洞,然后移除该第二图案化光 阻层;以及 利用化学机械研磨法对位于该半导体基底上之该 氧化物层进行平坦化制程,此时,复数个阵列排列 之氧化物柱、氧化物洞,将弥补该氧化物层因沉积 距离高度差所引起的沉积密度差异,而得到一高度 均匀之浅沟渠隔离结构。 2.如申请专利范围第1项所述之增进浅沟渠隔离结 构高度均匀性的方法,其中该垫氧化层的材质为二 氧化矽。 3.如申请专利范围第1项所述之增进浅沟渠隔离结 构高度均匀性的方法,其中该氮化物层之材质为氮 化矽。 4.如申请专利范围第3项所述之增进浅沟渠隔离结 构高度均匀性的方法,其中该氮化物层矽利用低压 化学气相沉积法所形成。 5.如申请专利范围第1项所述之增进浅沟渠隔离结 构高度均匀性的方法,其中在沉积该氧化物层前, 更可先将该半导体基底送入热炉管内,以高温氧化 的方式,在该浅沟渠结构内形成一层衬底氧化层。 6.如申请专利范围第1项所述之增进浅沟渠隔离结 构高度均匀性的方法,其中该氧化物层系利用化学 气相沉积法所形成。 7.如申请专利范围第1项所述之增进浅沟渠隔离结 构高度均匀性的方法,其中在完成该氧化层沉积后 更可对该氧化物层进行一次高温回火处理。 图式简单说明: 第一图为习知为修正氧化物沈积密度不均而于主 动区域形成凹槽之示意图。 第二图至第九图为本发明之制程步骤示意图。 |
