发明名称 DISPOSITIVO MAGNETOELECTRICO.
摘要 Dispositivo magnetoeléctrico sensible a un campo magnético aplicado, que comprende unas primera y segunda regiones (3, 4) ferromagnéticas con una región (5) de canal entre ellas, estando las regiones (3, 4) ferromagnéticas configuradas para que unos portadores de carga con una polarización de espín particular, que pueden atravesar la primera (3) región ferromagnética, puedan atravesar la segunda región (4) ferromagnética como función de las orientaciones relativas de magnetización de las regiones ferromagnéticas producidas por el campo magnético aplicado, según lo cual el dispositivo exhibe una conductividad como función de la intensidad del campo aplicado, caracterizado porque la región (5) de canal está configurada para proporcionar un canal cuasi unidimensional para hacer que los portadores de carga que atraviesan la primera región ferromagnética mantengan su polarización de espín al pasar hacia la segunda región ferromagnética.
申请公布号 ES2245498(T3) 申请公布日期 2006.01.01
申请号 ES19990303615T 申请日期 1999.05.10
申请人 HITACHI EUROPE LIMITED 发明人 TSUKAGOSHI, KAZUHITO;ALPHENAAR, BRUCE W.;MIZUTA, HIROSHI
分类号 G01R33/02;G01R33/09;G11B5/39;G11C13/02;H01F1/00;H01F10/06;H01F10/16;H01F10/32;H01L43/08;H01L43/10;(IPC1-7):G01R33/09;H01F10/08;G11B5/33 主分类号 G01R33/02
代理机构 代理人
主权项
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