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<P>Dispositif pour appliquer par pulvérisation par magnétron pulsé à fréquence moyenne, un système de couches minces à fonctions physiques complexes, de conception prédéfinie, composé de couches partielles de matières différentes, sur un substrat dont la position de revêtement est la même pour toutes les couches partielles. Une chambre à vide (103) loge une installation de pulvérisation à magnétron (105) ayant au moins une cible (108). Une installation (102) introduit et extrait le substrat de la chambre à vide (103). Une première introduction de gaz (110) amène un gaz vecteur. Une seconde introduction de gaz (109) fait entrer d'une manière commandée séparément au moins deux gaz réactifs différents dont une installation règle en fonction du temps le rapport de mélange dans la chambre à vide, en fonction de la conception prédéfinie du système. Une installation de mesure (116) saisit une valeur d'au moins une grandeur caractéristique de la pulvérisation et une installation de régulation (117, 118) compare la valeur saisie à une première valeur de consigne pour en déduire un premier signal de réglage de la quantité des gaz réactifs alimentant la chambre à vide (103), sans pouvoir modifier le rapport de mélange des gaz réactifs dans la chambre à vide (103).</P>
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