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发明名称 Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer
摘要
申请公布号 SG117384(A1) 申请公布日期 2005.12.29
申请号 SG20000001284 申请日期 2000.03.09
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD 发明人 PAUL HO KWOK KEUNG;DAI XUE CHUN
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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