Herstellungsverfahren für eine Schattenmaske in einem Graben einer mikroelektronischen oder mikromechanischen Struktur sowie Verwendung derselben

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Schattenmaske in einem Graben einer mikroelektronischen oder mikromechanischen Struktur mit den Schritten: Vorsehen von einem Graben (5) in der mikroelektronischen oder mikromechanischen Struktur (1, 2, 3); Vorsehen einer teilweisen Füllung (20) in dem Graben (5); Vorsehen einer ersten Linermaskenschicht (50) auf der teilweisen Füllung (20); Vorsehen einer Opferfüllung (60) auf der Linermaskenschicht (50) zum vollständigen Auffüllen des Grabens (5); flaches Rückätzen der Opferfüllung (60) in den Graben (5); Bilden einer ersten Maske (70; 100, 110) an der Oberseite der Opferfüllung (60) im Graben (5); Entfernen eines Teilbereichs der Opferfüllung (60) im Graben (5) unter Verwendung der ersten Maske (70; 100, 110) und optionelles Entfernen eines darunterliegenden Teilbereichs der ersten Linermaskenschicht (50) auf der teilweisen Füllung (20), wobei der verbliebene Teilbereich der Opferfüllung (60) im Graben (5) als zweite Maske dient.