TRANSISTOR WITH RECESS GATE AND FORMING METHOD THEREOF,申请号KR20040047585-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	TRANSISTOR WITH RECESS GATE AND FORMING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号	KR20050122475(A)	申请公布日期	2005.12.29
申请号	KR20040047585	申请日期	2004.06.24
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC.	发明人	KANG, MYUNG HEE
分类号	H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108	主分类号	H01L27/108
代理机构		代理人
主权项
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