发明名称 |
具有在抛光时促进混合尾迹的凹槽结构的抛光垫座 |
摘要 |
一种用于抛光晶片(112,516)或其他工件的抛光垫座(104,300,400,500)。这种抛光垫座包括一个含有多个凹槽(148,152,156)(304,308,324)(404,408,424)(520,524,528)的抛光层(108),这些凹槽的取向基本上平行于晶片的一个或几个相应的速度矢量(V1-V4)(V1′-V4′)(V1″-V4″)(V1″′-V4″′)。这些平行取向在抛光时促使在这些凹槽中的抛光介质(120)形成混合尾迹。 |
申请公布号 |
CN1712187A |
申请公布日期 |
2005.12.28 |
申请号 |
CN200510077948.8 |
申请日期 |
2005.06.15 |
申请人 |
CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
发明人 |
G·P·马尔多尼 |
分类号 |
B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304 |
主分类号 |
B24B29/00 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
郑修哲 |
主权项 |
1.一种适宜对磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种基片进行抛光的抛光垫座,包括:(a)一个具有抛光区的抛光层,其抛光区由一个第一边界和一个第二边界确定,第一边界相应于抛光垫座上一个第一点的轨迹,第二边界由抛光垫座上一个第二点的轨迹限定,两个边界相互隔开;(b)至少一个第一小角度凹槽,这个凹槽至少一部分包含在紧邻第一边界的抛光区内,并在紧接第一边界的一个点相对于第一边界形成一个-40°到40°的角;(c)至少一个第二小角度凹槽,这个凹槽至少一部分包含在紧接第二边界的抛光区内,并在紧接第二边界的一个点相对于第二边界形成一个-40°到40°的角;(d)多个大角度凹槽,每一个都包含在抛光区内,并至少位于一个第一小角度凹槽和至少一个第二小角度凹槽之间,每一个大角度凹槽都相对于每一个第一边界和第二边界形成一个45°到135°的角。 |
地址 |
美国特拉华 |