减少半导体单元接触缺陷的方法

摘要

本发明描述了一种在半导体装置中提供至少一个接触的方法及系统。该半导体装置包括基片(201)、蚀刻终止层(240)、在蚀刻终止层(240)上的层间电介质(250)、在层间电介质(250)上的消反射涂层(ARC)(260)以及在蚀刻终止层(240)下的至少一种特征。提供一层具有开口的并位于ARC层(260)上的抗蚀剂掩模。该开口位于ARC层(260)的暴露部分之上。该方法及系统包括，蚀刻暴露的ARC层(260)和下面的层间电介质(250)而并不穿透蚀刻终止层(240)，以提供至少一个接触孔的部分。该方法及系统还包括原位去除抗蚀剂掩模、去除暴露在接触孔部分的蚀刻终止层(240)部分，以及用导电材料来填充接触孔。

主权项

1.一种在半导体中提供至少一个接触的方法，所述半导体包括基片(201)、蚀刻终止层(240)、在所述蚀刻终止层(240)上的层间电介质(250)、在所述层间电介质(250)上的消反射涂层(ARC)(260)以及在所述蚀刻终止层(240)下的至少一种特征，具有至少一个开口位于所述ARC层(260)之上的抗蚀剂掩模，所述至少一个开口位于所述ARC层(260)的暴露部分之上，所述方法包括步骤：(a)步骤(102)，蚀刻所述ARC层(260)的暴露部分和在所述ARC层(260)的暴露部分之下的层间电介质(250)而并不穿透所述蚀刻终止层(240)，以提供至少一个接触孔的部分；(b)步骤(104)，原位去除所述抗蚀剂掩模；(c)原位去除暴露在所述至少一个接触孔部分的蚀刻终止层(240)部分以提供所述至少一个接触孔；以及(d)步骤(108)，用导电材料填充所述至少一个接触孔。