发明名称 无晶体管结击穿效应的电位转换电路
摘要 本发明提供一种电位转换电路,用来将一输入电压转换成一输出电压,该电位转换电路包括至少一互补金属氧化物半导体晶体管,设于一p型基底上,其包括一p型金属氧化物半导体晶体管及一n型金属氧化物半导体晶体管。该n型金属氧化物半导体晶体管包括一栅极,一漏极,以及一源极。该漏极包括一n型阱,形成于该p型基底上,以及一第一N+掺杂区域,设于该n型阱中,且是与该n型阱相邻,而该源极,其包括一第二N+掺杂区域,形成于该p型基底上。
申请公布号 CN1234169C 申请公布日期 2005.12.28
申请号 CN02105727.3 申请日期 2002.04.15
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 阙隆一;林元泰
分类号 H01L27/04;H01L29/78 主分类号 H01L27/04
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种电位转换电路,用来将一输入电压转换成一输出电压,该电位转换电路包括:第一及第二互补金属氧化物半导体晶体管,该二互补金属氧化物半导体晶体管的p型金属氧化物半导体晶体管的栅极相互连接,用来提供一参考电压;以及第一及第二p型金属氧化物半导体晶体管,该二p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于一电源供应器,该第一p型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该第二互补金属氧化物半导体晶体管的p型金属氧化物半导体晶体管的源极,该第二p型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该第一互补金属氧化物半导体晶体管的p型金属氧化物半导体晶体管的源极,该第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于该第一互补金属氧化物半导体晶体管的p型金属氧化物半导体晶体管的源极,该第二p型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于该第二互补金属氧化物半导体晶体管的p型金属氧化物半导体晶体管的源极,其中该第一及第二互补金属氧化物半导体晶体管设于一p型基底上,并且该第一及第二互补金属氧化物半导体晶体管的n型金属氧化物半导体晶体管包括:一栅极;一漏极,其包括一n型阱,形成于该p型基底上,一第一N+掺杂区域,设于该n型阱中,且是与该n型阱相邻;以及一源极,其包括一第二N+掺杂区域,形成于该p型基底上。
地址 台湾省新竹市