发明名称 一种顶出光电极及其制备方法
摘要 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法,涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其特征在于:所述有机发光层上还有Al层,和位于Al层上的Au层。本发明用薄Al/Au层或LiF/Al/Au复合层作为顶出光电极的上电极材料,可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10<SUP>-5</SUP>托)来完成,电极透光率比薄Al/Ag层高约40-50%,而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化,从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性,同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光,以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
申请公布号 CN1713408A 申请公布日期 2005.12.28
申请号 CN200410048076.8 申请日期 2004.06.14
申请人 北京大学 发明人 秦国刚;冉广照;乔永平;张伯蕊;徐爱国;马国立;陈娓兮
分类号 H01L51/10;H01L51/40;H01L33/00;H05B33/26;H05B33/10 主分类号 H01L51/10
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 关畅
主权项 1、一种顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其特征在于:所述有机发光层上设有Al层,在所述Al层上设有Au层。
地址 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学
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