| 发明名称 | 磷化硼基化合物半导体器件、其制造方法以及发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种器件特性优良的磷化硼基半导体器件，其具有III族氮化物半导体层和磷化硼层的结结构。磷化硼基化合物半导体器件具有异质结结构，所述结构包括III族氮化物半导体层和磷化硼层，其中III族氮化物半导体层的表面具有(0.0.0.1.)晶面，以及磷化硼层是{111}－磷化硼层，其具有在III族氮化物半导体层的(0.0.0.1.)晶面上层叠的与(0.0.0.1.)晶面平行的{111}晶面。 | ||
| 申请公布号 | CN1714455A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200380104015.2 | 申请日期 | 2003.11.27 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆 |
| 分类号 | H01L29/205;H01L29/20;H01L33/00 | 主分类号 | H01L29/205 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种具有异质结结构的磷化硼基化合物半导体器件，所述结构包括III族氮化物半导体层和磷化硼层，其中所述III族氮化物半导体层的表面具有(0.0.0.1.)晶面，以及所述磷化硼层为{111}-磷化硼层，其具有在所述III族氮化物半导体层的(0.0.0.1.)晶面上层叠的与所述(0.0.0.1.)晶面平行的{111}晶面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||