| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在形成强电介质电容器(23)后，通过高密度等离子CVD法或常压CVD法形成表面的倾斜度小的绝缘膜(24)。然后在绝缘膜(24)上形成氧化铝膜(25)。按照这样的方法，不会发生氧化膜(25)的覆盖范围低的问题，并且可以确实保护强电介质电容器(23)。 | ||
| 申请公布号 | CN1714452A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN03825573.1 | 申请日期 | 2003.04.24 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 和泉宇俊;斋藤仁;佐次田直也;西乡薰;永井孝一 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王玉双 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体基板，形成在上述半导体基板的上方的强电介质电容器，直接覆盖上述强电介质电容器，且其表面的倾斜度比上述强电介质电容器表面的倾斜度小的绝缘膜，形成在上述绝缘膜上，并防止氢向上述强电介质电容器扩散的氢扩散防止膜。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||