| 发明名称 | 氮化硅电荷捕获存储器件 | ||
| 摘要 | 本发明是一种擦除氮化物存储器件的方法及系统。在本发明的一个实施例中，在半导体衬底(520)中形成隔离的P型阱(510)。在该隔离的P型阱(510)中形成多个N型杂质集中区(550、555)，且在这些N型杂质集中区(550、555)的两个之间制造氮化物存储单元(560)。最后，将电气接触(590)连接到该隔离的P型阱(510)。 | ||
| 申请公布号 | CN1714457A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN03825466.2 | 申请日期 | 2003.07.10 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·W·伦道夫;C·常;Y·何;W·张;E·F·朗奈 |
| 分类号 | H01L29/792 | 主分类号 | H01L29/792 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包含：在半导体衬底(520)中形成的隔离的P型阱(510)；在该隔离的P型阱(510)中形成的多个N型杂质集中区(550、555)；在该隔离的P型阱(510)之上制造的且配置在这些N型杂质集中区(550、555)的两个之间的氮化物存储单元(560)；以及连接到该隔离的P型阱(510)的电气接触(590)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||