用于下一代镶嵌阻挡应用的具有良好抗氧化性的双层膜

摘要

本发明提供了用于处理衬底的方法，包括：向处理室提供包括含有苯基的有机硅化合物的处理气，并使处理气进行反应以沉积低k值碳化硅阻挡层，该阻挡层可用作具有低k值介电材料的镶嵌或双镶嵌应用中的阻挡层。本发明还提供了用于由包括无氧有机硅化合物的处理气在低k值碳化硅阻挡层上沉积基本没有与硅原子连接的苯基的碳化硅帽层的方法。

主权项

1.一种处理衬底的方法，包括：通过将包括有机硅化合物的第一处理气体混合物导入处理室中，并将所述第一处理气体混合物进行反应以沉积阻挡层，从而沉积出碳化硅阻挡层，其中所述有机硅化合物具有结构式SiHa(CH3)b(C6H5)c，其中a为0-3，b为0-3，c为1-4，所述阻挡层的介电常数小于4，并包含与硅原子连接的苯基基团；以及在沉积所述阻挡层之前或之后，通过将包括无氧有机硅化合物的第二处理气体混合物导入所述处理室中，并将所述第二处理气体混合物进行反应以沉积碳化硅帽层，从而沉积出邻近所述阻挡层的碳化硅帽层，其中所述碳化硅帽层基本没有与硅原子连接的苯基基团。