| 发明名称 | 辐射发射半导体器件和制造该器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有半导体本体(1)和衬底(2)的辐射发射半导体器件(10)，其中半导体本体(1)包括具有分别设置有连接区(6、7、8)的发射极区(3)、基极区(4)和集电极区(5)的垂直双极晶体管，且基极区(4)与集电极区(5)之间的边界形成pn结，并且在操作中，在pn结的反向偏压下，或在足够高的集电极电流下，发生载荷子的雪崩倍增，由此在集电极区(5)中产生辐射。根据本发明，集电极区(5)具有使得所产生的辐射发生透射的厚度，且集电极区(5)邻接于半导体本体(1)的自由表面。这样，所产生辐射的更少地通过吸收损耗掉，且所产生的辐射可更加容易地用于充当例如器件(10)的另一部分或另一器件(10)的光学信号。可以借助于例如栅电极(11)来制作集电极区(5)中的第二子区(5B)，利用该栅电极(11)可以在半导体本体(1)中感应出导电沟道。优选地，辐射导体(14)存在于后者的表面上。本发明还包括制造根据本发明的器件(10)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1714456A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200380103612.3 | 申请日期 | 2003.10.28 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·H·克洛特维克;J·W·斯洛特布姆 |
| 分类号 | H01L29/73;H01L33/00 | 主分类号 | H01L29/73 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1、一种辐射发射半导体器件(10)，包括半导体本体(1)和衬底(2)，该半导体本体(1)包括具有分别设置有连接区(6、7、8)的发射极区(3)、基极区(4)和集电极区(5)的垂直双极晶体管，且基极区(4)与集电极区(5)之间的边界形成pn结，并且，在操作期间，在pn结上加反向电压时，或集电极电流足够高时，发生载荷子的雪崩倍增，使得在集电极区(5)中产生辐射，其特征在于：集电极区(5)具有使得所产生的辐射发生透射的厚度，且集电极区(5)邻接半导体本体(1)的自由表面。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||