一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法

摘要

本发明公开的磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法，其步骤如下：将多晶硅放入石英坩埚中，并掺入纯度大于99.999％的锗，在100-10000G磁场强度和保护气体下，将温度升到1400℃～1450℃，使锗熔入多晶硅熔液中，锗在单晶硅中的掺杂浓度为1×10¹⁰-1×10²¹cm^-3，生长得到低缺陷密度直拉硅单晶。本发明采用在磁场下生长直拉硅单晶，通过调整磁场强度可有效控制和降低氧的浓度，利用微量锗的掺杂，使得锗和点缺陷作用，从而抑制硅单晶中原生微缺陷、特别是VOID缺陷的生成，降低缺陷密度，利于提高生长速度，降低成本，生长高质量的硅单晶。

主权项

1.一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法，包括多晶硅的融化，种籽晶，放肩、等径、收尾、冷却全过程，其特征是将多晶硅放入石英坩埚中，并掺入纯度大于99.999％的锗，在100-10000G磁场强度和保护气体下，将温度升到1400℃～1450℃，使锗熔入多晶硅熔液中，锗在单晶硅中的掺杂浓度为1×1010-1×1021cm-3，生长得到低缺陷密度直拉硅单晶。