半导体元件的制造方法及在其内制造电容器的方法

摘要

本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及在其内制造电容器的方法。先提供一半导体基底。接着，形成至少一个浅沟渠隔离结构。然后，形成穿隧氧化层。之后，沉积第一多晶硅层。继之，在第一多晶硅层上沉积氮化硅层。之后，沉积第一光阻层。接着，图案化与定义第一光阻层以暴露至少一部分的氮化硅层。然后，蚀刻氮化硅层暴露的部分以及氮化硅层暴露部分底下的第一多晶硅层。继之，去除第一光阻层，再形成第二氧化层。接着，在第二氧化层上提供第二光阻层。之后，去除一部分的第二光阻层与一部分的氮化硅层。然后，去除残余的第二光阻层与残余的氮化硅层以暴露出至少第一多晶硅层的一部分。继之，图案化与定义第二多晶硅层。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成多数个浅沟渠隔离结构；在该半导体基底与该些浅沟渠隔离结构上形成一第一氧化层；在该第一氧化层上沉积一第一多晶硅层；在该第一多晶硅层上沉积一氮化硅层；遮蔽至少二该些浅沟渠隔离结构之间的该氮化硅层的二部分；蚀刻该氮化硅层未被遮蔽的部分以及该氮化硅层暴露部分底下的该第一多晶硅层的部分，以暴露出至少一部份的该第一氧化层；在该第一氧化层暴露的部分上形成特定厚度的一第二氧化层；在该第二氧化层上提供一牺牲层；进行一蚀刻制程，以去除一部份的该牺牲层与一部份的该氮化硅层；以及去除残余的该牺牲层与残余的该氮化硅层以暴露出至少该第一多晶硅层的二分离部分。