| 发明名称 | 用于制造自对准双极晶体管及有关结构的方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实例性实施例，双极晶体管包括具有上表面的基极。双极晶体管进一步包括牺牲柱，在一个实施例中，该牺牲柱位于第一和第二连接间隔物之间。双极晶体管还包括位于牺牲柱之上的共形层。例如，共形层可以包括氧化硅。根据该实例性实施例，双极晶体管进一步包括位于共形层、牺牲柱和基极之上的牺牲平面化层。该牺牲平面化层具有第一和第二连接间隔物之间的第一区域中的第一厚度以及第一和第二连接间隔物之外的第二区域中的第二厚度，其中第二厚度一般大于第一厚度。另一个实施例是实现上述双极晶体管的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1714435A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN03819440.6 | 申请日期 | 2003.07.03 |
| 申请人 | 以爵士半导体公司营业的纽波特有限公司 | 发明人 | A·卡尔伯格;M·拉卡耐利 |
| 分类号 | H01L21/331;H01L29/00;H01L27/082 | 主分类号 | H01L21/331 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种双极晶体管，其特征在于，包括：基极，它具有上表面；牺牲柱，它位于所述基极的所述上表面上；共形层，它位于所述牺牲柱之上；牺牲平面化层，它位于所述共形层、所述牺牲柱和所述基极之上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||