金属－绝缘物－金属电容的集成电路装置的制作方法

摘要

本发明揭示一种包含高品质因子的金属-绝缘物-金属(MIM)电容的集成电路装置的制作方法。本发明的包含MIM薄膜电容的集成电路装置，其特点是MIM电容的薄介电层是以一种具有相对高的介电常数且可被当作一防反射光层(anti-reflection coating，ARC)的材质所组成。因此在进行图案化MIM电容的电极板的制作时，便不需在金属层上方沉积一防反射光层，而直接以MIM电容的薄介电层作为防反射光层，省却在金属层上方沉积一防反射光层的步骤。

主权项

1.一种制造集成电路装置的方法，其特征在于，包括下列步骤：在一半导体装置上方形成一第一阻挡层；在该第一阻挡层上方形成一第一金属层；以具有较高的介电常数的防反射光层形成一第二介电层于该第一金属层上方；形成一第二金属层于该第二介电层上方；通过移除一部份的该第二金属层与该第二介电层且露出一部份的该第一金属层而产生一电容上电极板；通过移除一部份的该第一金属层与该第一阻挡层且露出一部份的该半导体装置而产生一电容下电极板；形成一内金属介电层于该电容上电极板、该电容下电极板与该半导体装置上方；于该内金属介电层内形成数个插塞以连接该电容上电极板与该电容下电极板；形成一第二阻挡层于该内金属介电层上方；形成一第三金属层于该第二阻挡层上方；以及移除一部份的该第三金属层与该第二阻挡层且露出一部份的该内金属介电层。