| 发明名称 | 抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抗蚀图增厚材料及其形成方法、半导体器件及其制造方法。该抗蚀图增厚材料能够增厚抗蚀图，并且超越在图案化期间所用的曝光光线的曝光限制形成精细的空间图案。该抗蚀图增厚材料包含树脂和相移催化剂。在形成抗蚀图的方法及制造半导体器件的方法中，本发明的抗蚀图增厚材料被适当地利用。 | ||
| 申请公布号 | CN1713074A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200410088021.X | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 野崎耕司;并木崇久;小泽美和 |
| 分类号 | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00 | 主分类号 | G03F7/20 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑特强;经志强 |
| 主权项 | 1.一种抗蚀图增厚材料，包括：树脂；以及具有两个或更多羟基的多羟基醇。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||